Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

  • ઘર
  •  
  • થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર
VS-ST733C08LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM1

આંશિક માલ: 594

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.63V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 940A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1900A,

વિશસૂચિ
VS-81RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120

આંશિક માલ: 1619

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ
VS-ST1280C06K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0

આંશિક માલ: 362

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.44V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2310A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 4150A,

વિશસૂચિ
VS-ST110S12P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0VPBF

આંશિક માલ: 1177

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S12PFK0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0LP

આંશિક માલ: 975

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-81RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80M

આંશિક માલ: 857

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ
VS-180RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40PBF

આંશિક માલ: 1501

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ
VS-ST330S12Q0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12Q0

આંશિક માલ: 463

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C16C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C0

આંશિક માલ: 740

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S16M1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S16M1

આંશિક માલ: 729

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C10LFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10LFJ0

આંશિક માલ: 415

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 515A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 995A,

વિશસૂચિ
VS-ST330C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L0L

આંશિક માલ: 656

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0L

આંશિક માલ: 635

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-ST730C12L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0

આંશિક માલ: 641

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ
VS-ST333C08CFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM0

આંશિક માલ: 765

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ
VS-ST230C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C1L

આંશિક માલ: 1023

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ
VS-111RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI80

આંશિક માલ: 1567

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-110RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80PBF

આંશિક માલ: 1871

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0L

આંશિક માલ: 271

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S08MFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1P

આંશિક માલ: 757

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST110S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S04P1V

આંશિક માલ: 1072

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ
VS-ST1230C16K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0LP

આંશિક માલ: 312

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1745A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3200A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C12K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C12K1

આંશિક માલ: 359

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST333C08CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08CFM1

આંશિક માલ: 748

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ
VS-ST173C10CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK1

આંશિક માલ: 1036

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 610A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C08C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0

આંશિક માલ: 973

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST183C08CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFN0

આંશિક માલ: 1163

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 370A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 690A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C20C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20C0L

આંશિક માલ: 526

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST330C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C04C0

આંશિક માલ: 998

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08-M3

આંશિક માલ: 13176

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C12LFK0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0L

આંશિક માલ: 399

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S12MFK2LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12MFK2LP

આંશિક માલ: 713

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-25RIA120S90
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120S90

આંશિક માલ: 3283

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ
VS-ST333S08PFL0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0P

આંશિક માલ: 657

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 518A,

વિશસૂચિ
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80PBF

આંશિક માલ: 1382

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ
VS-50RIA20M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA20M

આંશિક માલ: 2641

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 200V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ