Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

  • ઘર
  •  
  • થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર
VS-ST333C04LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM0

આંશિક માલ: 588

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C12LFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0

આંશિક માલ: 443

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 515A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 995A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C18C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1L

આંશિક માલ: 609

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST230C12C2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C2

આંશિક માલ: 1201

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12S-M3

આંશિક માલ: 71052

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0P

આંશિક માલ: 1009

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST1230C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0

આંશિક માલ: 288

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1745A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3200A,

વિશસૂચિ
VS-30TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12LHM3

આંશિક માલ: 3020

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 20A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 30A,

વિશસૂચિ
VS-ST223C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFL1

આંશિક માલ: 1429

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.58V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 390A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 745A,

વિશસૂચિ
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S06P1VPBF

આંશિક માલ: 1120

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 200A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 314A,

વિશસૂચિ
VS-ST280S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P1V

આંશિક માલ: 716

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.28V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 280A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 440A,

વિશસૂચિ
VS-180RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100

આંશિક માલ: 955

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S12PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK1P

આંશિક માલ: 991

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST1200C20K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0P

આંશિક માલ: 279

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ
VS-2N688
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N688

આંશિક માલ: 8199

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 40mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0

આંશિક માલ: 293

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SLHM3

આંશિક માલ: 142

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-ST333S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFL0

આંશિક માલ: 420

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 518A,

વિશસૂચિ
VS-ST730C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0L

આંશિક માલ: 613

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ
VS-ST203C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST203C12CFJ1

આંશિક માલ: 954

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.72V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 370A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 700A,

વિશસૂચિ
VS-ST333C04CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFM1

આંશિક માલ: 875

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ
VS-10TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08SPBF

આંશિક માલ: 47257

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ
VS-ST380C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0

આંશિક માલ: 831

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 960A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1900A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0

આંશિક માલ: 843

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08S-M3

આંશિક માલ: 72650

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0P

આંશિક માલ: 344

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ
VS-10TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08-M3

આંશિક માલ: 42450

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L1

આંશિક માલ: 635

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1

આંશિક માલ: 556

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFL1

આંશિક માલ: 826

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-50TPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50TPS12L-M3

આંશિક માલ: 18144

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.32V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 79A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFL1

આંશિક માલ: 470

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRR-M3

આંશિક માલ: 52782

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL1

આંશિક માલ: 918

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P0VPBF

આંશિક માલ: 1017

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-ST110S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0V

આંશિક માલ: 1033

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ