Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

  • ઘર
  •  
  • થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર
VS-ST1200C16K3P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K3P

આંશિક માલ: 239

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.73V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3080A,

વિશસૂચિ
VS-ST110S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S14P0PBF

આંશિક માલ: 1122

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ
VS-111RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI40PBF

આંશિક માલ: 2105

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K1

આંશિક માલ: 301

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P1VPBF

આંશિક માલ: 1121

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-ST223C04CFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN0

આંશિક માલ: 1134

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.58V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 390A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 745A,

વિશસૂચિ
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40

આંશિક માલ: 2128

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08L0

આંશિક માલ: 671

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 560A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1115A,

વિશસૂચિ
VS-50RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100M

આંશિક માલ: 2663

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S10PFK2P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK2P

આંશિક માલ: 1018

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST780C06L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L1

આંશિક માલ: 556

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.31V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2700A,

વિશસૂચિ
VS-110RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI80

આંશિક માલ: 1589

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST280CH04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C0

આંશિક માલ: 1110

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 500A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1130A,

વિશસૂચિ
VS-ST333C04LFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM1

આંશિક માલ: 504

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1435A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C12LFH0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFH0

આંશિક માલ: 421

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0

આંશિક માલ: 391

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST733C08LFM0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFM0L

આંશિક માલ: 517

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.63V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 940A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1900A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0V

આંશિક માલ: 828

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120MPBF

આંશિક માલ: 809

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST230C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C20C1

આંશિક માલ: 981

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1L

આંશિક માલ: 547

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.8kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 990A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2000A,

વિશસૂચિ
VS-ST380C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C1

આંશિક માલ: 849

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 960A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1900A,

વિશસૂચિ
VS-25RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA40

આંશિક માલ: 7234

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K1L

આંશિક માલ: 311

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0L

આંશિક માલ: 635

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C08LFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN0

આંશિક માલ: 433

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 515A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 995A,

વિશસૂચિ
VS-16RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA60

આંશિક માલ: 5758

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 600V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 35A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S04PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1P

આંશિક માલ: 1092

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST380CH04C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH04C0L

આંશિક માલ: 755

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.58V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 960A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2220A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S08PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1P

આંશિક માલ: 935

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST230C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C0

આંશિક માલ: 1564

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ
VS-ST223C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFN1

આંશિક માલ: 1059

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.58V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 390A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 745A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C0

આંશિક માલ: 1061

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST333S04PFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFM0

આંશિક માલ: 402

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 518A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S10PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0

આંશિક માલ: 749

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C08L0

આંશિક માલ: 460

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ