Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

  • ઘર
  •  
  • થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર
VS-ST180C20C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C1

આંશિક માલ: 670

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 660A,

વિશસૂચિ
VS-ST230C14C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C0

આંશિક માલ: 1095

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.69V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 410A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 780A,

વિશસૂચિ
VS-ST330C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1L

આંશિક માલ: 761

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C20L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0L

આંશિક માલ: 591

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-50RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40M

આંશિક માલ: 2684

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16SLHM3

આંશિક માલ: 114

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C20L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C20L0

આંશિક માલ: 527

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-111RKI120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120PBF

આંશિક માલ: 1652

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST330C08L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08L0

આંશિક માલ: 809

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.9V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1230A,

વિશસૂચિ
VS-ST173S12PFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFP0

આંશિક માલ: 863

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 175A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 275A,

વિશસૂચિ
VS-ST300C16C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C16C1

આંશિક માલ: 781

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.18V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 650A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1290A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S08PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1P

આંશિક માલ: 924

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-10TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRL-M3

આંશિક માલ: 70526

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S12M0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12M0VPBF

આંશિક માલ: 707

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-ST110S12P2VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P2VPBF

આંશિક માલ: 1173

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 175A,

વિશસૂચિ
VS-ST700C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1

આંશિક માલ: 643

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 910A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1857A,

વિશસૂચિ
VS-ST180C16C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C16C1L

આંશિક માલ: 1039

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 660A,

વિશસૂચિ
VS-110RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40PBF

આંશિક માલ: 2060

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.57V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 110A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 172A,

વિશસૂચિ
VS-ST330C12C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C1

આંશિક માલ: 783

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 720A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1420A,

વિશસૂચિ
VS-ST1000C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C14K1

આંશિક માલ: 355

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.8V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1473A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 2913A,

વિશસૂચિ
VS-ST180S12P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1VPBF

આંશિક માલ: 950

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 200A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 314A,

વિશસૂચિ
VS-ST1230C08K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K1

આંશિક માલ: 293

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1745A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3200A,

વિશસૂચિ
VS-ST280C04C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C0

આંશિક માલ: 1319

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.36V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 500A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 960A,

વિશસૂચિ
VS-ST173S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173S12PFK0

આંશિક માલ: 580

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.07V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 175A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 275A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CCL1

આંશિક માલ: 633

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 620A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 1180A,

વિશસૂચિ
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI40PBF

આંશિક માલ: 1525

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ
VS-ST1230C14K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0L

આંશિક માલ: 279

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.62V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 1745A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 3200A,

વિશસૂચિ
VS-ST303C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFL0

આંશિક માલ: 560

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 400V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.16V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 515A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 995A,

વિશસૂચિ
VS-50RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80

આંશિક માલ: 3651

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 50A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 80A,

વિશસૂચિ
VS-ST230S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S12P1V

આંશિક માલ: 651

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.55V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 230A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 360A,

વિશસૂચિ
VS-ST330S16P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0

આંશિક માલ: 412

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.52V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 330A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 520A,

વિશસૂચિ
VS-80RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA120PBF

આંશિક માલ: 2059

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 120mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 80A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 125A,

વિશસૂચિ
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI80

આંશિક માલ: 1180

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.35V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 180A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 285A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS12A-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12A-M3

આંશિક માલ: 8210

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-ST180C14C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C14C0L

આંશિક માલ: 1010

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.4kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.96V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 350A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 660A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16S-M3

આંશિક માલ: 65156

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ