ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

ઘર
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ

C2M1000170J-TR

આંશિક માલ: 12544

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0065090J-TR

આંશિક માલ: 6828

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0120100K

આંશિક માલ: 8031

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0120090J-TR

આંશિક માલ: 10635

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0030090K

આંશિક માલ: 2469

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 63A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 35A, 15V,

વિશસૂચિ

C2M0045170P

આંશિક માલ: 2736

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 59 mOhm @ 50A, 20V,

વિશસૂચિ

E3M0120090D

આંશિક માલ: 3307

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 23A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0280090J

આંશિક માલ: 19166

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0075120K

આંશિક માલ: 5595

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0120100J

આંશિક માલ: 3965

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

આંશિક માલ: 2177

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 50A (Tj), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 110 mOhm @ 20A, 20V,

વિશસૂચિ

C2M0025120D

આંશિક માલ: 1093

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 50A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0280090J-TR

આંશિક માલ: 19172

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0065100J

આંશિક માલ: 2848

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C2M0080170P

આંશિક માલ: 2196

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 125 mOhm @ 28A, 20V,

વિશસૂચિ

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

આંશિક માલ: 2236

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 28A (Tj), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 220 mOhm @ 10A, 20V,

વિશસૂચિ

C2M0045170D

આંશિક માલ: 866

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 70 mOhm @ 50A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0280090D

આંશિક માલ: 20168

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0075120J

આંશિક માલ: 5794

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0065100K

આંશિક માલ: 5808

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0120090J

આંશિક માલ: 10579

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

CMF20120D

આંશિક માલ: 976

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 42A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 110 mOhm @ 20A, 20V,

વિશસૂચિ

CMF10120D

આંશિક માલ: 1120

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 24A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 220 mOhm @ 10A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0120090D

આંશિક માલ: 10936

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 23A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 15A, 15V,

વિશસૂચિ

C2M0040120D

આંશિક માલ: 2045

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 52 mOhm @ 40A, 20V,

વિશસૂચિ

C2M0160120D

આંશિક માલ: 8382

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 196 mOhm @ 10A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0065100J-TR

આંશિક માલ: 93

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C2M1000170J

આંશિક માલ: 12480

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

વિશસૂચિ

C3M0075120J-TR

આંશિક માલ: 280

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

E3M0065090D

આંશિક માલ: 9953

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

E3M0280090D

આંશિક માલ: 8442

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0065090D

આંશિક માલ: 6981

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 36A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C3M0065090J

આંશિક માલ: 6843

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 15V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 20A, 15V,

વિશસૂચિ

C2M0280120D

આંશિક માલ: 12900

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 370 mOhm @ 6A, 20V,

વિશસૂચિ

C2M1000170D

આંશિક માલ: 13276

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1700V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

વિશસૂચિ

C2M0080120D

આંશિક માલ: 4209

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: SiCFET (Silicon Carbide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 36A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 98 mOhm @ 20A, 20V,

વિશસૂચિ

36