ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

C3D04060F

આંશિક માલ: 37807

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 4A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D05120E-TR

આંશિક માલ: 20880

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D10120E-TR

આંશિક માલ: 10448

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 33A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 10A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D06060G-TR

આંશિક માલ: 40422

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 6A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io),

C3D02065E-TR

આંશિક માલ: 114886

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D08060G-TR

આંશિક માલ: 30363

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 24A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D03065E-TR

આંશિક માલ: 76100

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 11A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D02060E-TR

આંશિક માલ: 122143

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D10060G-TR

આંશિક માલ: 24327

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 29A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C3D04065E-TR

આંશિક માલ: 57453

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 13.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 4A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D03060E-TR

આંશિક માલ: 80343

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 11A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

C4D08120E-TR

આંશિક માલ: 13953

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 24.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 8A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D04060E-TR

આંશિક માલ: 60464

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 13.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

E4D20120A

આંશિક માલ: 634

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 54.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 20A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

CPW3-1700-S025B-WP

આંશિક માલ: 1137

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1700V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 25A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C2D05120A

આંશિક માલ: 9158

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 17.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D15120H

આંશિક માલ: 501

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 39A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 15A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

CPW3-1700-S010B-WP

આંશિક માલ: 3535

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1700V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 10A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D08120A

આંશિક માલ: 8738

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 24.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 7.5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D20120H

આંશિક માલ: 3141

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 54A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 20A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D10120H

આંશિક માલ: 3213

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 31.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 10A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D25170H

આંશિક માલ: 1223

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1700V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 26.3A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.5V @ 25A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

CVFD20065A

આંશિક માલ: 7144

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 57A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.45V @ 20A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C4D15120A

આંશિક માલ: 4355

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 43.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 15A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D03060A

આંશિક માલ: 50190

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 11A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 3A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D16065A

આંશિક માલ: 9050

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 39A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 16A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C2D05120E-TR

આંશિક માલ: 14702

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 17.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D04065A

આંશિક માલ: 35635

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 13.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 4A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D12065A

આંશિક માલ: 11857

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 35A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 12A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D06065A

આંશિક માલ: 23636

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 6A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D08065I

આંશિક માલ: 17098

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 16.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 8A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D08065A

આંશિક માલ: 17783

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 24A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 8A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C2D05120E

આંશિક માલ: 9200

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 17.5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 5A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D10170H

આંશિક માલ: 3661

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1700V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 14.4A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2V @ 10A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

C3D10065A

આંશિક માલ: 14272

ડાયોડ પ્રકાર: Silicon Carbide Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 30A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.8V @ 10A, ગતિ: No Recovery Time > 500mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 0ns,

CPW2-1200-S010B-SK

આંશિક માલ: 1446