| પ્રકાર | વર્ણન |
| ભાગની સ્થિતિ | Active |
|---|---|
| એફઇટી પ્રકાર | N-Channel |
| ટેકનોલોજી | SiCFET (Silicon Carbide) |
| સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો | 1700V |
| વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે | 72A (Tc) |
| ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ) | 20V |
| આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ. | 59 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી | 4V @ 18mA |
| ગેટ ચાર્જ (Qg) (મહત્તમ) @ Vgs | 188nC @ 20V |
| Vgs (મહત્તમ) | +25V, -10V |
| ઇનપુટ કેપેસિટેન્સ (સિસ) (મેક્સ) @ વીડીએસ | 3672pF @ 1000V |
| FET લક્ષણ | - |
| પાવર ડિસીપિશન (મેક્સ) | 520W (Tc) |
| સંચાલન તાપમાન | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| માઉન્ટિંગ પ્રકાર | Through Hole |
| સપ્લાયર ડિવાઇસ પેકેજ | TO-247-4L |
| પેકેજ / કેસ | TO-247-4 |
| રોહ્સ સ્થિતિ | રોહ્સ સુસંગત |
|---|---|
| ભેજ સંવેદનશીલતા સ્તર (એમએસએલ) | લાગુ પડતું નથી |
| લાઇફસાયકલ સ્થિતિ | જીવનના અપ્રચલિત / અંત |
| માલ-શ્રેણી | ઉપલબ્ધ સ્ટોક |
