ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

ઘર
ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15ETH03SPBF

આંશિક માલ: 38832

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 32ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300UR20A

આંશિક માલ: 1638

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 942A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P45-M3/87A

આંશિક માલ: 183477

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.8A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-4ESH01HM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01HM3/87A

આંશિક માલ: 197463

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH9HM3_A/H

આંશિક માલ: 166

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 900mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P12-M3/86A

આંશિક માલ: 157214

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 820mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PG-M3/87A

આંશિક માલ: 108288

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB260-E3/53

આંશિક માલ: 144793

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PL6-M3/87A

આંશિક માલ: 187671

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/H

આંશિક માલ: 152

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PJ-M3/87A

આંશિક માલ: 101943

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12HM3_A/H

આંશિક માલ: 141957

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.9A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 830mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H90-E3/73

આંશિક માલ: 113560

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 790mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P6-M3/87A

આંશિક માલ: 179446

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 590mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PBHM3_A/H

આંશિક માલ: 133056

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8PH10HM3_A/I

આંશિક માલ: 115

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 900mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25FR60

આંશિક માલ: 11665

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 25A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 78A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P10HM3_A/I

આંશિક માલ: 154

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045S-M3

આંશિક માલ: 95130

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR120/54

આંશિક માલ: 181036

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 875mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 35ns,

વિશસૂચિ

VS-10TQ045STRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRR-M3

આંશિક માલ: 89375

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P45S-M3/87A

આંશિક માલ: 178148

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ10FNHM3

આંશિક માલ: 84421

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 770mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-30WQ10FNTRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30WQ10FNTRR-M3

આંશિક માલ: 114111

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 810mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-10TQ045STRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TQ045STRL-M3

આંશિક માલ: 87830

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-4ESH01-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4ESH01-M3/86A

આંશિક માલ: 185400

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 20ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50WQ03FNHM3

આંશિક માલ: 163878

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 460mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45-M3/86A

આંશિક માલ: 184786

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20TQ045S-M3

આંશિક માલ: 98453

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-MBRB1035TRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1035TRL-M3

આંશિક માલ: 99247

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM10HM3/H

આંશિક માલ: 161

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P6-M3/87A

આંશિક માલ: 148947

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 610mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P45HM3_A/I

આંશિક માલ: 140

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-MBRD330TRR-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD330TRR-M3

આંશિક માલ: 124872

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD340-M3

આંશિક માલ: 188216

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

VS-10WQ045FNTRL-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10WQ045FNTRL-M3

આંશિક માલ: 174495

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 630mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

3600

«
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
»