Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ
FES8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FES8JT-E3/45

આંશિક માલ: 73234

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
S4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PD-M3/86A

આંશિક માલ: 194986

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ
V12P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8HM3_A/H

આંશિક માલ: 88

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF515-M3/H

આંશિક માલ: 84

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS1FN6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6HM3/H

આંશિક માલ: 124

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 530mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V15PN50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PN50-M3/87A

આંશિક માલ: 185982

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P10HM3_A/I

આંશિક માલ: 166522

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S4PB-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PB-M3/86A

આંશિક માલ: 112608

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ
V15PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM10HM3/I

આંશિક માલ: 118

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P6-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6-M3/86A

આંશિક માલ: 119244

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 610mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS10PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH9-M3/87A

આંશિક માલ: 137343

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF3N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3N50-M3/6B

આંશિક માલ: 112816

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2.7A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 400mV @ 1.5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PM10HM3/I

આંશિક માલ: 154

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS12P2LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2LHM3_A/H

આંશિક માલ: 169267

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS12P2LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2LHM3_A/I

આંશિક માલ: 190394

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V25PN60-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V25PN60-M3/87A

આંશિક માલ: 173907

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6.4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 590mV @ 25A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF5L45HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45HM3_A/H

આંશિક માલ: 164

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS8P2LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2LHM3_A/I

આંશિક માલ: 115069

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V15PL50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PL50-M3/87A

આંશિક માલ: 165166

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJU06HM3/6A

આંશિક માલ: 102552

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.35V @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
V8PAM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM10HM3/I

આંશિક માલ: 82

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 780mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF3L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3L45HM3_A/I

આંશિક માલ: 147

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 450mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF5M12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12HM3/H

આંશિક માલ: 142

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 890mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SB230-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB230-E3/54

આંશિક માલ: 116174

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P6HM3_A/I

આંશિક માલ: 118

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 610mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V10P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P15HM3/H

આંશિક માલ: 87

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.08V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SB2H90-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H90-E3/54

આંશિક માલ: 136065

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 790mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V10P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8HM3_A/I

આંશિક માલ: 122

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 680mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-400UR120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR120D

આંશિક માલ: 1318

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.62V @ 1500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8PAM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM10-M3/I

આંશિક માલ: 132

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 780mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V12PM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12PM10HM3/I

આંશિક માલ: 151

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V20PL50-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PL50-M3/87A

આંશિક માલ: 178992

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 590mV @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PDHM3_A/I

આંશિક માલ: 175390

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ
SS12P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P2L-M3/86A

આંશિક માલ: 169219

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS3P6LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/I

આંશિક માલ: 198148

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V15PM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15PM12HM3/H

આંશિક માલ: 83

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 840mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ