Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFG-M3/6A

આંશિક માલ: 112349

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 1.47µs,

વિશસૂચિ
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/H

આંશિક માલ: 100

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS10P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P6HM3_A/I

આંશિક માલ: 182602

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 7A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 670mV @ 7A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S1AFK-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

આંશિક માલ: 171353

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 1.47µs,

વિશસૂચિ
SS10PH45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10PH45HM3_A/I

આંશિક માલ: 141131

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 720mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V15P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P6HM3_A/I

આંશિક માલ: 92

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P8-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8-M3/86A

આંશિક માલ: 188033

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P15-M3/H

આંશિક માલ: 163

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.08V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-6ESH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6ESH01-M3/86A

આંશિક માલ: 177394

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 6A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 940mV @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 22ns,

વિશસૂચિ
VT5202-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT5202-M3/4W

આંશિક માલ: 92742

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SE30PAGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAGHM3/I

આંશિક માલ: 178133

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.16V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 1.3µs,

વિશસૂચિ
V15P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P8HM3_A/H

આંશિક માલ: 164

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S4PKHM3_A/I

આંશિક માલ: 101974

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 4A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 2.5µs,

વિશસૂચિ
SB2H100-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2H100-E3/54

આંશિક માલ: 180596

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 790mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V12P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15-M3/I

આંશિક માલ: 124

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.08V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS5P9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS5P9HM3_A/I

આંશિક માલ: 128

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 90V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8P8HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8P8HM3_A/H

આંશિક માલ: 171

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 8A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS10P3HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3HM3_A/I

આંશિક માલ: 157059

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAL45-M3/I

આંશિક માલ: 128585

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS3P6LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P6LHM3_A/H

આંશિક માલ: 163508

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V12P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P8-M3/87A

આંશિક માલ: 199224

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 4.3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V15P12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V15P12HM3/H

આંશિક માલ: 107

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 810mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V12P15HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V12P15HM3/H

આંશિક માલ: 128

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.08V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/H

આંશિક માલ: 142

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH02-M3/6B

આંશિક માલ: 116384

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ
VSSAF5M12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M12-M3/I

આંશિક માલ: 68

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 890mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6B

આંશિક માલ: 103724

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 2A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 930mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 25ns,

વિશસૂચિ
VS-400UR160D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-400UR160D

આંશિક માલ: 1361

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.62V @ 1500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-SD400N20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD400N20PC

આંશિક માલ: 741

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 2000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.62V @ 1500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510-M3/I

આંશિક માલ: 114

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 750mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1FN6-M3/I

આંશિક માલ: 103

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 530mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V10PM12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10PM12-M3/86A

આંશિક માલ: 160229

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.9A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 830mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
V8PAN50-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAN50-M3/I

આંશિક માલ: 188473

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3.7A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 420mV @ 4A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VSSAF5L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5L45-M3/6A

આંશિક માલ: 99042

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SE30PAG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAG-M3/I

આંશિક માલ: 119037

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.16V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 1.3µs,

વિશસૂચિ
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF512-M3/I

આંશિક માલ: 67

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 120V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 880mV @ 5A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ