ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

ઘર
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

Vishay Siliconix

SI5944DU-T1-E3

આંશિક માલ: 2715

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1016X-T1-E3

આંશિક માલ: 2759

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 485mA, 370mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI5904DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2807

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI9936BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9936BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2872

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

VQ2001P-2

આંશિક માલ: 2875

એફઇટી પ્રકાર: 4 P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 600mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SIA911DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2844

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4814BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 3376

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, 10.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4818DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4818DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2835

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 800mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-E3

આંશિક માલ: 2818

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 935µA,

વિશસૂચિ

SI5920DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2868

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5519DU-T1-GE3

આંશિક માલ: 2823

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1903DL-T1-E3

આંશિક માલ: 2791

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 410mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1905DL-T1-E3

આંશિક માલ: 2724

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 570mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2714

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 400µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

VQ2001P

આંશિક માલ: 2906

એફઇટી પ્રકાર: 4 P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 600mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SI4947ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4947ADY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2852

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1913DH-T1-E3

આંશિક માલ: 2766

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 880mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

SI4276DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2851

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI3905DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3905DV-T1-GE3

આંશિક માલ: 2849

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4913DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4913DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2852

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 500µA,

વિશસૂચિ

SI3909DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3909DV-T1-GE3

આંશિક માલ: 2826

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 500mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4944DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2874

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4933DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2815

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 500µA,

વિશસૂચિ

SI7909DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 2908

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 700µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-E3

આંશિક માલ: 3302

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4567DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4567DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2812

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, 4.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-E3

આંશિક માલ: 99156

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4532ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 139238

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5513DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2794

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.1A, 2.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-E3

આંશિક માલ: 2793

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-E3

આંશિક માલ: 2903

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 700µA,

વિશસૂચિ

SIZ914DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ914DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 89189

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A, 40A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4834BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4834BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 2745

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIB911DK-T1-E3

આંશિક માલ: 2804

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI7224DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 139892

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SMMB911DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SMMB911DK-T1-GE3

આંશિક માલ: 2878

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

648

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»