ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 18

SI4952DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 3339

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-GE3

આંશિક માલ: 2805

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.4A, 960mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4388DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2702

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10.7A, 11.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2899

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 400µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2839

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5517DU-T1-E3

આંશિક માલ: 2805

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4544DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2824

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4210DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 124384

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5903DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2754

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6966DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2838

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1553DL-T1-GE3

આંશિક માલ: 2851

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 660mA, 410mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2898

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2816

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.8A, 7.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

આંશિક માલ: 2713

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 100µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 2782

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 77131

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2795

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2730

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2824

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

આંશિક માલ: 128567

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2796

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2854

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

આંશિક માલ: 2790

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

આંશિક માલ: 85796

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2838

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2797

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

VQ1001P-2

આંશિક માલ: 2955

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 830mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 3366

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQ4946EY-T1-E3

આંશિક માલ: 2909

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1551DL-T1-E3

આંશિક માલ: 3285

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 290mA, 410mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-GE3

આંશિક માલ: 2813

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

VQ1006P-2

આંશિક માલ: 2934

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 90V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 400mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2835

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.8A, 7.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6993DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2760

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2878

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2835

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ