ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

ઘર
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

SI4500BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4500BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2858

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SIA950DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA950DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2859

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 190V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 950mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-E3

આંશિક માલ: 139900

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI1563DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1563DH-T1-GE3

આંશિક માલ: 2825

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.13A, 880mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

SI4569DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4569DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2878

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, 7.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI6969DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6969DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 3349

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SIZ916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ916DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 88099

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A, 40A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2783

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4501ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 2738

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.3A, 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI3993DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3993DV-T1-GE3

આંશિક માલ: 199624

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 133 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI6926ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6926ADQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 195139

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI5915BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5915BDC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2892

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4916DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4916DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 93093

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, 10.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI6928DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6928DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 3373

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-E3

આંશિક માલ: 3359

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 500µA,

વિશસૂચિ

SI6925ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2797

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI3981DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3981DV-T1-GE3

આંશિક માલ: 2791

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2798

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI1913EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1913EDH-T1-E3

આંશિક માલ: 2794

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 880mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 100µA,

વિશસૂચિ

SI7214DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 99144

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI6981DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6981DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2836

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 300µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6562DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 3304

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SIZ342DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ342DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 178805

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15.7A (Ta), 100A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4330DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2782

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4953ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4953ADY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2804

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4622DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4622DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2878

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SI9934BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI9934BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 3305

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI3948DV-T1-E3

આંશિક માલ: 2733

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4914BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4914BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 118968

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.4A, 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.7V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI4618DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 64981

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, 15.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI6933DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2879

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4310BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4310BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 2851

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.5A, 9.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI6544BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6544BDQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2882

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4965DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2893

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ

SI4941EDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4941EDY-T1-E3

આંશિક માલ: 2795

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ

SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 2820

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 935µA,

વિશસૂચિ

648

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»