Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1552

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE,LF(CT

આંશિક માલ: 196360

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1965(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9983

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1435

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1505(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1505(TE85L,F)

આંશિક માલ: 128512

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2965FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1529

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1509(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1509(TE85L,F)

આંશિક માલ: 191088

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1973(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1973(TE85L,F)

આંશિક માલ: 116165

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1702JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1702JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 122052

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1491

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 139044

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902,LF(CT

આંશિક માલ: 115907

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2906FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1387

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1962FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 3220

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1602(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9979

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1964FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 183026

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ