ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

ઘર
ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

આંશિક માલ: 2949

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

આંશિક માલ: 2938

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 2912

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

આંશિક માલ: 2967

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

આંશિક માલ: 16268

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

આંશિક માલ: 9923

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 2976

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

આંશિક માલ: 9939

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 4V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

આંશિક માલ: 172252

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180mA, 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

આંશિક માલ: 9963

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

આંશિક માલ: 13256

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.2V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

આંશિક માલ: 173905

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6P15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 13232

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.7V @ 100µA,

વિશસૂચિ

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

આંશિક માલ: 2957

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6P41FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 13283

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 720mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

આંશિક માલ: 3098

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

આંશિક માલ: 16211

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 650mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 121978

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

આંશિક માલ: 156233

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.2V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180mA, 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

આંશિક માલ: 154751

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

આંશિક માલ: 3013

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

આંશિક માલ: 154781

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

આંશિક માલ: 117701

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

આંશિક માલ: 154268

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

આંશિક માલ: 9999

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

આંશિક માલ: 107404

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, 330mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

આંશિક માલ: 2780

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.7A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

આંશિક માલ: 2844

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

આંશિક માલ: 2801

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

આંશિક માલ: 2813

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 1mA,

વિશસૂચિ

TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

આંશિક માલ: 2694

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

આંશિક માલ: 2756

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

આંશિક માલ: 2781

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 1mA,

વિશસૂચિ

TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

આંશિક માલ: 3345

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, 5.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

આંશિક માલ: 2829

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

આંશિક માલ: 2650

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

66

«
1
2
»