ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 2

TPCF8402(TE85L,F,M

આંશિક માલ: 2735

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

આંશિક માલ: 24307

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 400mA, 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 700 mOhm @ 200MA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.8V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

આંશિક માલ: 2892

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

આંશિક માલ: 2742

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

આંશિક માલ: 2856

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

આંશિક માલ: 3305

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

આંશિક માલ: 2821

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

આંશિક માલ: 3306

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

આંશિક માલ: 140070

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 330mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

આંશિક માલ: 3270

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

આંશિક માલ: 2461

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.6A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 119 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

આંશિક માલ: 102707

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 180mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

આંશિક માલ: 124781

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 300mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

આંશિક માલ: 176574

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

આંશિક માલ: 2495

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

આંશિક માલ: 128587

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.1A, 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

આંશિક માલ: 161424

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

આંશિક માલ: 179879

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

આંશિક માલ: 178067

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

આંશિક માલ: 175270

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

આંશિક માલ: 111011

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

આંશિક માલ: 192590

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 0.1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

આંશિક માલ: 182932

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

આંશિક માલ: 151036

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, 7.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

આંશિક માલ: 164511

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 170mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

આંશિક માલ: 150969

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

આંશિક માલ: 105414

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

આંશિક માલ: 179839

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

આંશિક માલ: 111677

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

આંશિક માલ: 156819

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ