Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

આંશિક માલ: 138883

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1489

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1507

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1480

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

આંશિક માલ: 181191

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1463

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1523

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

આંશિક માલ: 134854

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

આંશિક માલ: 158270

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9902

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1375

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

આંશિક માલ: 142375

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1489

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 5402

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9911

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1510

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 185153

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1620

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 3218

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1475

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

આંશિક માલ: 116281

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 178049

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1636

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

આંશિક માલ: 1491

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1446

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1466

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

આંશિક માલ: 3212

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1532

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

આંશિક માલ: 179912

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

આંશિક માલ: 187083

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

આંશિક માલ: 196797

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 196989

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 1368

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 1500

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 125460

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 3147

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ