આંશિક માલ: 222
એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 48A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 2mA (Typ),