ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 7

2N7335

આંશિક માલ: 2928

એફઇટી પ્રકાર: 4 P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 750mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N7334

આંશિક માલ: 2895

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

આંશિક માલ: 765

એફઇટી પ્રકાર: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100H45STG

આંશિક માલ: 605

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 18A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTMC120TAM33CTPAG

આંશિક માલ: 107

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 78A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 3mA (Typ),

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50H14FT3G

આંશિક માલ: 1149

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 26A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTMC120AM25CT3AG

આંશિક માલ: 283

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 113A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 4mA (Typ),

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120AM08CT6AG

આંશિક માલ: 144

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 370A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 10mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120TAM33CTPAG

આંશિક માલ: 177

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 112A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 3mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120AM09CD3AG

આંશિક માલ: 195

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 337A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 9mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120AM14CD3AG

આંશિક માલ: 248

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 337A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 9mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

આંશિક માલ: 589

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 74A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 2mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTSM120AM25CT3AG

આંશિક માલ: 290

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 148A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 4mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTMC120AM08CD3AG

આંશિક માલ: 68

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 10mA (Typ),

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50HM65FT3G

આંશિક માલ: 692

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 51A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50AM38STG

આંશિક માલ: 559

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

આંશિક માલ: 480

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 18A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

આંશિક માલ: 292

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 65A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 6mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

આંશિક માલ: 372

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 150A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 6mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

આંશિક માલ: 1785

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

આંશિક માલ: 1187

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 37A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 1mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100A13DG

આંશિક માલ: 505

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 65A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 6mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

આંશિક માલ: 1155

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

આંશિક માલ: 858

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 18A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

આંશિક માલ: 728

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1000V (1kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 43A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

આંશિક માલ: 63

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Silicon Carbide (SiC), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 220A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 30mA (Typ),

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

આંશિક માલ: 799

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 89A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

આંશિક માલ: 1635

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 39A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2.7mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

આંશિક માલ: 860

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

આંશિક માલ: 1954

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 28A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 2mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

આંશિક માલ: 880

એફઇટી પ્રકાર: 4 N-Channel (H-Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 46A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 2.5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60AM242G

આંશિક માલ: 951

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

આંશિક માલ: 440

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 163A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 10mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTM120DU15G

આંશિક માલ: 383

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 1200V (1.2kV), વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 10mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

આંશિક માલ: 1490

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 72A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5.4mA,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

આંશિક માલ: 401

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Super Junction, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.9V @ 5mA,

વિશસૂચિ