ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે

ઘર
ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે

Microsemi Corporation

2N2919U

આંશિક માલ: 1529

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3810U

આંશિક માલ: 2166

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2060L

આંશિક માલ: 2121

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N6987

આંશિક માલ: 1248

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 PNP (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N6988

આંશિક માલ: 1523

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 PNP (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2919L

આંશિક માલ: 2004

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2920U

આંશિક માલ: 161

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3838

આંશિક માલ: 1633

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 15mA, 150mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2920L

આંશિક માલ: 2061

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N6990

આંશિક માલ: 1262

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 NPN (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N5795

આંશિક માલ: 1968

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2920

આંશિક માલ: 2258

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3810L

આંશિક માલ: 4091

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N2919

આંશિક માલ: 2136

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3810

આંશિક માલ: 3259

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N6989

આંશિક માલ: 4437

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 NPN (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3811L

આંશિક માલ: 4456

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3811U

આંશિક માલ: 4453

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

2N3811

આંશિક માલ: 4521

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTXV2N6990

આંશિક માલ: 1050

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 NPN (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

SG2013J-883B

આંશિક માલ: 1020

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.9V @ 600µA, 500mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 900 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

આંશિક માલ: 4491

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

આંશિક માલ: 4488

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 8 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTX2N6988

આંશિક માલ: 4551

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 PNP (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTXV2N3811L

આંશિક માલ: 4513

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 300 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

SG2003J-883B

આંશિક માલ: 4460

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810

આંશિક માલ: 1613

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JAN2N2919L

આંશિક માલ: 1921

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JAN2N6987

આંશિક માલ: 1383

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 PNP (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

આંશિક માલ: 1675

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTX2N6987

આંશિક માલ: 1284

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 4 PNP (Quad), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

આંશિક માલ: 163

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 100µA, 1mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

આંશિક માલ: 1620

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

આંશિક માલ: 301

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 1mA, 100µA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JANTX2N2060L

આંશિક માલ: 980

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ

Microsemi Corporation

JAN2N2060L

આંશિક માલ: 1262

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 5mA, 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 50 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ

89

«
1
2
3
»