Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ

2SA1837,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

આંશિક માલ: 6942

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

આંશિક માલ: 6984

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

આંશિક માલ: 7010

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

આંશિક માલ: 6997

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

આંશિક માલ: 6944

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

આંશિક માલ: 6994

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

આંશિક માલ: 6991

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

આંશિક માલ: 6710

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 230V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

આંશિક માલ: 6956

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 75mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

આંશિક માલ: 6934

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 75mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

આંશિક માલ: 6947

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 75mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

આંશિક માલ: 7016

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

આંશિક માલ: 6980

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

આંશિક માલ: 7010

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

આંશિક માલ: 6927

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

આંશિક માલ: 6950

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

આંશિક માલ: 6992

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

આંશિક માલ: 6995

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

આંશિક માલ: 6951

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

આંશિક માલ: 6771

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

આંશિક માલ: 6920

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

આંશિક માલ: 6933

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

આંશિક માલ: 7010

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

આંશિક માલ: 6706

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

આંશિક માલ: 7011

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

આંશિક માલ: 6927

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

આંશિક માલ: 6952

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 33mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

આંશિક માલ: 6974

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

આંશિક માલ: 6974

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

આંશિક માલ: 6924

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

આંશિક માલ: 6919

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

આંશિક માલ: 6991

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

આંશિક માલ: 7009

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

આંશિક માલ: 6921

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

આંશિક માલ: 6978

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

આંશિક માલ: 6994

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે