ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

આંશિક માલ: 6992

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

આંશિક માલ: 6990

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

આંશિક માલ: 7022

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

આંશિક માલ: 7021

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

આંશિક માલ: 6703

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

આંશિક માલ: 6975

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

આંશિક માલ: 7020

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 7022

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

આંશિક માલ: 6954

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

આંશિક માલ: 6948

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

આંશિક માલ: 6990

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

આંશિક માલ: 6947

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

આંશિક માલ: 7035

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

આંશિક માલ: 7005

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

આંશિક માલ: 6999

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

આંશિક માલ: 7004

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 400mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 20mA, 200A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

આંશિક માલ: 6754

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 400mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 20mA, 200A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 50mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

આંશિક માલ: 6942

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

આંશિક માલ: 6995

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

આંશિક માલ: 7000

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

આંશિક માલ: 6996

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 6mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 2µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 3A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

આંશિક માલ: 6949

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 6958

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

આંશિક માલ: 6947

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

આંશિક માલ: 6980

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

આંશિક માલ: 7012

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

આંશિક માલ: 6968

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

આંશિક માલ: 7012

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

આંશિક માલ: 6956

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

આંશિક માલ: 6980

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

આંશિક માલ: 6968

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

આંશિક માલ: 7009

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

આંશિક માલ: 6956

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

આંશિક માલ: 6969

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 150V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 800mV @ 1mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 7016

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

2SC6017-E

આંશિક માલ: 111005

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 360mV @ 250mA, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ માટે