ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

2SC2655-Y(T6CANOFM

આંશિક માલ: 6951

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

આંશિક માલ: 6790

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

આંશિક માલ: 7001

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 7046

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

આંશિક માલ: 7041

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

આંશિક માલ: 6981

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

આંશિક માલ: 6736

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 300V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

આંશિક માલ: 6967

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 300V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 20mA, 10V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

આંશિક માલ: 6957

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 200mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

આંશિક માલ: 6977

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 200mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

આંશિક માલ: 7010

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 200mA, 5V,

વિશસૂચિ માટે