Optપ્ટિકલ સેન્સર્સ - ફોટોઇન્ટરપ્રિટર્સ - સ્લોટ પ્ર

RPI-125

RPI-125

આંશિક માલ: 161723

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.047" (1.2mm), આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
RPI-221

RPI-221

આંશિક માલ: 66659

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.091" (2.3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB825A

OPB825A

આંશિક માલ: 44730

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.160" (4.06mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB841W51Z

OPB841W51Z

આંશિક માલ: 16119

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB380P55Z

OPB380P55Z

આંશિક માલ: 17965

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB891T55Z

OPB891T55Z

આંશિક માલ: 20138

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB831W55Z

OPB831W55Z

આંશિક માલ: 18888

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB870N11

OPB870N11

આંશિક માલ: 30559

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB390L51Z

OPB390L51Z

આંશિક માલ: 17983

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB828A

OPB828A

આંશિક માલ: 42120

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB812L55

OPB812L55

આંશિક માલ: 36294

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.375" (9.53mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB370T11

OPB370T11

આંશિક માલ: 32668

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB370N55

OPB370N55

આંશિક માલ: 32266

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB360P11

OPB360P11

આંશિક માલ: 30133

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB390P55Z

OPB390P55Z

આંશિક માલ: 18658

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB365N51

OPB365N51

આંશિક માલ: 28645

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB365N55

OPB365N55

આંશિક માલ: 28746

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB875N51

OPB875N51

આંશિક માલ: 38656

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPS692

OPS692

આંશિક માલ: 55522

સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB830L11

OPB830L11

આંશિક માલ: 25461

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB810L55

OPB810L55

આંશિક માલ: 33924

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.375" (9.53mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB420AZ

OPB420AZ

આંશિક માલ: 16085

સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB375T11

OPB375T11

આંશિક માલ: 32901

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB871N55

OPB871N55

આંશિક માલ: 35434

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1137

EE-SX1137

આંશિક માલ: 26619

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SA103

EE-SA103

આંશિક માલ: 46470

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SV3-DS

EE-SV3-DS

આંશિક માલ: 9640

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.134" (3.4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
TCPT1600X01

TCPT1600X01

આંશિક માલ: 91321

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 25mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V,

વિશસૂચિ માટે
TCST2202

TCST2202

આંશિક માલ: 39429

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.122" (3.1mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 70V,

વિશસૂચિ માટે
HOA1881-012

HOA1881-012

આંશિક માલ: 8389

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
HOA0881-T55

HOA0881-T55

આંશિક માલ: 7384

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Transistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
HOA0865-T55

HOA0865-T55

આંશિક માલ: 10211

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Transistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
HOA1879-012

HOA1879-012

આંશિક માલ: 9273

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
HOA1877-001

HOA1877-001

આંશિક માલ: 6531

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.375" (9.52mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
E4TT-MM4A-CS3M020

E4TT-MM4A-CS3M020

આંશિક માલ: 613

વિશસૂચિ માટે
EE-SX977P-C1

EE-SX977P-C1

આંશિક માલ: 1858

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.020" (0.5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે