Optપ્ટિકલ સેન્સર્સ - ફોટોઇન્ટરપ્રિટર્સ - સ્લોટ પ્ર

OPB380L51Z

OPB380L51Z

આંશિક માલ: 18656

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB880P55Z

OPB880P55Z

આંશિક માલ: 20356

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB800L51

OPB800L51

આંશિક માલ: 32075

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.375" (9.53mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB876T55

OPB876T55

આંશિક માલ: 34276

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB842W51Z

OPB842W51Z

આંશિક માલ: 19424

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB365P55

OPB365P55

આંશિક માલ: 29903

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPS691

OPS691

આંશિક માલ: 85168

સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB891T51Z

OPB891T51Z

આંશિક માલ: 20370

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB812W55Z

OPB812W55Z

આંશિક માલ: 19286

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.375" (9.53mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB825B

OPB825B

આંશિક માલ: 47883

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.160" (4.06mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB855

OPB855

આંશિક માલ: 40968

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.205" (5.21mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB828C

OPB828C

આંશિક માલ: 42099

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB890L11Z

OPB890L11Z

આંશિક માલ: 17397

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB880T51Z

OPB880T51Z

આંશિક માલ: 19265

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB390T51Z

OPB390T51Z

આંશિક માલ: 17988

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB370N11

OPB370N11

આંશિક માલ: 33627

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB420BZ

OPB420BZ

આંશિક માલ: 16131

સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 24V,

વિશસૂચિ માટે
OPB885Z

OPB885Z

આંશિક માલ: 10869

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.374" (9.5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB821S3Z

OPB821S3Z

આંશિક માલ: 16968

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.080" (2.03mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB360N51

OPB360N51

આંશિક માલ: 36872

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SH3-B

EE-SH3-B

આંશિક માલ: 15230

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.134" (3.4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1340

EE-SX1340

આંશિક માલ: 64711

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.157" (4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 30mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SH3-C

EE-SH3-C

આંશિક માલ: 10574

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.134" (3.4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1320

EE-SX1320

આંશિક માલ: 126846

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.079" (2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 5mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1035

EE-SX1035

આંશિક માલ: 18256

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.205" (5.2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1321

EE-SX1321

આંશિક માલ: 82172

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.079" (2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 25mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX972-C1

EE-SX972-C1

આંશિક માલ: 2399

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.020" (0.5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX771R 5M

EE-SX771R 5M

આંશિક માલ: 975

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: PNP - Open Collector/Dark-ON,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX974P-C1

EE-SX974P-C1

આંશિક માલ: 2321

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.020" (0.5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX951-W 3M

EE-SX951-W 3M

આંશિક માલ: 2568

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 24V,

વિશસૂચિ માટે
TCST1030

TCST1030

આંશિક માલ: 62621

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.122" (3.1mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 70V,

વિશસૂચિ માટે
TCST5250

TCST5250

આંશિક માલ: 40523

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.106" (2.7mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 70V,

વિશસૂચિ માટે
TCST2300

TCST2300

આંશિક માલ: 35047

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.122" (3.1mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 70V,

વિશસૂચિ માટે
RPI-129BN

RPI-129BN

આંશિક માલ: 69168

આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
RPI-0226

RPI-0226

આંશિક માલ: 177561

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.047" (1.2mm), આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Transistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
GP1S53VJ000F

GP1S53VJ000F

આંશિક માલ: 58604

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 35V,

વિશસૂચિ માટે