Optપ્ટિકલ સેન્સર્સ - ફોટોઇન્ટરપ્રિટર્સ - સ્લોટ પ્ર

OPS698

OPS698

આંશિક માલ: 62110

સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB842W55Z

OPB842W55Z

આંશિક માલ: 1962

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB870N51

OPB870N51

આંશિક માલ: 35959

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB840L11

OPB840L11

આંશિક માલ: 26932

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB380T55Z

OPB380T55Z

આંશિક માલ: 21000

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB360L55

OPB360L55

આંશિક માલ: 41418

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB841L55

OPB841L55

આંશિક માલ: 30673

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB835L11

OPB835L11

આંશિક માલ: 31148

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB390P11Z

OPB390P11Z

આંશિક માલ: 17563

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB360L51

OPB360L51

આંશિક માલ: 39873

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB920DZ

OPB920DZ

આંશિક માલ: 13960

આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Open Collector, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 20mA,

વિશસૂચિ માટે
OPB380P51Z

OPB380P51Z

આંશિક માલ: 18762

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB890P55Z

OPB890P55Z

આંશિક માલ: 22002

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB370T55

OPB370T55

આંશિક માલ: 32267

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB854A3

OPB854A3

આંશિક માલ: 31044

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.100" (2.54mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB350W187Z

OPB350W187Z

આંશિક માલ: 11449

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.188" (4.78mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Liquid, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB877N55

OPB877N55

આંશિક માલ: 32830

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB861L55

OPB861L55

આંશિક માલ: 35456

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
OPB818

OPB818

આંશિક માલ: 34270

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.210" (5.33mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
RPI-222

RPI-222

આંશિક માલ: 67860

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.079" (2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
RPI-121

RPI-121

આંશિક માલ: 55072

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.039" (1mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SPX613

EE-SPX613

આંશિક માલ: 609

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.236" ~ 0.512" (6mm ~ 13mm) ADJ, સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX954-R 1M

EE-SX954-R 1M

આંશિક માલ: 2734

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 24V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX952-W 1M

EE-SX952-W 1M

આંશિક માલ: 2930

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 24V,

વિશસૂચિ માટે
TCUT1800X01

TCUT1800X01

આંશિક માલ: 4766

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 25mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V,

વિશસૂચિ માટે
TCST1230

TCST1230

આંશિક માલ: 60074

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.110" (2.8mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 70V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1023-W1

EE-SX1023-W1

આંશિક માલ: 9340

વિશસૂચિ માટે
EE-SX1081

EE-SX1081

આંશિક માલ: 21230

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
EE-SV3-C

EE-SV3-C

આંશિક માલ: 10019

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.134" (3.4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
ITR9707

ITR9707

આંશિક માલ: 159396

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.205" (5.2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
ITR8102

ITR8102

આંશિક માલ: 162612

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
H22A1

H22A1

આંશિક માલ: 37380

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.118" (3mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 60mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે
GP1S296HCPSF

GP1S296HCPSF

આંશિક માલ: 145

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.039" (1mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 30mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 35V,

વિશસૂચિ માટે
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

આંશિક માલ: 50627

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.079" (2mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Phototransistor, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 35V,

વિશસૂચિ માટે
HOA1881-013

HOA1881-013

આંશિક માલ: 6517

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.125" (3.18mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: Photodarlington, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 30mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V,

વિશસૂચિ માટે
PM-K24P

PM-K24P

આંશિક માલ: 3404

સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Transmissive, આઉટપુટ રૂપરેખાંકન: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V,

વિશસૂચિ માટે