ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SI4931DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 180864

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 350µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 190253

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

આંશિક માલ: 3310

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 24V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 77437

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 180836

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

આંશિક માલ: 125137

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 185277

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

આંશિક માલ: 63525

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 86516

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

આંશિક માલ: 2514

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 610mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 44000

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

આંશિક માલ: 166606

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 330mA, 170mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

આંશિક માલ: 171536

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 490mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

આંશિક માલ: 188653

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

આંશિક માલ: 110824

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

આંશિક માલ: 135582

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

આંશિક માલ: 176441

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

આંશિક માલ: 179879

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

આંશિક માલ: 178067

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDG6301N-F085

આંશિક માલ: 2507

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 220mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NVMFD5485NLWFT3G

આંશિક માલ: 90689

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NVLJD4007NZTAG

આંશિક માલ: 139596

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 245mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EFC6605R-TR

આંશિક માલ: 197820

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08AATMA1

આંશિક માલ: 137972

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 22µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA2

આંશિક માલ: 113173

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 20µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11ATMA1

આંશિક માલ: 172926

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 15µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7341GTRPBF

આંશિક માલ: 82222

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07ATMA1

આંશિક માલ: 104521

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 30µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7314TRPBF

આંશિક માલ: 193267

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 700mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

આંશિક માલ: 104503

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.03A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

આંશિક માલ: 171759

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12.2A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

આંશિક માલ: 2684

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel Complementary, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A (Ta), 9.4A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTA

આંશિક માલ: 60635

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

Texas Instruments

CSD88537ND

આંશિક માલ: 132851

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.6V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

UP0497900L

આંશિક માલ: 2637

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1µA,

વિશસૂચિ માટે

Panasonic Electronic Components

UP0487C00L

આંશિક માલ: 188334

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.3V @ 50µA,

વિશસૂચિ માટે