ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SIA929DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 141982

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 64 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJB60EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 152496

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4501BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 198146

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A, 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIA910EDJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 151991

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIA923EDJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 115135

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI5935CDC-T1-E3

આંશિક માલ: 110303

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-E3

આંશિક માલ: 118197

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQ4961EY-T1_GE3

આંશિક માલ: 110087

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.4A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJ204EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 2534

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A (Tc), 60A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4948BEY-T1-E3

આંશિક માલ: 125210

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJ952EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 158569

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 23A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 10.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4599DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 199648

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.8A, 5.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7236DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 45582

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.2 mOhm @ 20.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDS6990AS

આંશિક માલ: 162854

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTJD5121NT2G

આંશિક માલ: 197174

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 295mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDS6982AS

આંશિક માલ: 164073

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.3A, 8.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDMA1028NZ

આંશિક માલ: 179878

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EFC4C002NLTDG

આંશિક માલ: 85433

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF8313TRPBF

આંશિક માલ: 190133

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.35V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRFH4251DTRPBF

આંશિક માલ: 49673

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 64A, 188A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 35µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1

આંશિક માલ: 97219

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 28µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7341TRPBF

આંશિક માલ: 73259

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF

આંશિક માલ: 180145

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

NX138AKSX

આંશિક માલ: 183035

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 170mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMCM650CUNEZ

આંશિક માલ: 2564

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Standard, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMDXB550UNEZ

આંશિક માલ: 183268

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 590mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 950mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKV,115

આંશિક માલ: 163831

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 400mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DI9956T

આંશિક માલ: 2624

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

આંશિક માલ: 106764

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 190 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMC31D5UDJ-7B

આંશિક માલ: 166000

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 220mA, 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SP8J5TB

આંશિક માલ: 50648

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

US6M2TR

આંશિક માલ: 169040

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.5A, 1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

આંશિક માલ: 91212

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, 7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

આંશિક માલ: 125338

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

આંશિક માલ: 161424

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3911DCX6 RFG

આંશિક માલ: 58130

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.2A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 140 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 950mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે