ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

IRF7317TRPBF

આંશિક માલ: 158547

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.6A, 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 700mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

આંશિક માલ: 112687

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 10µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7910TRPBF

આંશિક માલ: 127888

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

આંશિક માલ: 142257

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.9 mOhm @ 15A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 35µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 152466

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 91401

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 149146

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.7V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

આંશિક માલ: 2597

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 70A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

આંશિક માલ: 39374

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 152443

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

આંશિક માલ: 142035

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

આંશિક માલ: 2601

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 36A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

આંશિક માલ: 2533

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

આંશિક માલ: 188973

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 152485

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

આંશિક માલ: 193079

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 950mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

આંશિક માલ: 177961

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 950mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

આંશિક માલ: 137499

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.25V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

આંશિક માલ: 177076

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 220mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

આંશિક માલ: 129283

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 45V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

આંશિક માલ: 127455

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

આંશિક માલ: 150969

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.3V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

આંશિક માલ: 105414

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

આંશિક માલ: 179839

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

આંશિક માલ: 111677

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 800mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

આંશિક માલ: 156819

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

આંશિક માલ: 108053

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDMB3800N

આંશિક માલ: 191355

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDS6890A

આંશિક માલ: 101115

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDY1002PZ

આંશિક માલ: 182634

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 830mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDMA1032CZ

આંશિક માલ: 89328

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, 3.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDME1034CZT

આંશિક માલ: 154682

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.8A, 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDY3000NZ

આંશિક માલ: 111326

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 600mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

આંશિક માલ: 138188

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.03A, 700mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMG1016V-7

આંશિક માલ: 107374

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 870mA, 640mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

આંશિક માલ: 173089

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 24V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે