ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SI6969DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2898

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2816

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.8A, 7.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

આંશિક માલ: 2713

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 100µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-E3

આંશિક માલ: 2782

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

આંશિક માલ: 77131

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Half Bridge), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2795

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

આંશિક માલ: 2730

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2824

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

આંશિક માલ: 128567

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2796

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2854

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

આંશિક માલ: 2790

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.8V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

આંશિક માલ: 85796

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2838

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDM3300NZ

આંશિક માલ: 2686

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

FDC6000NZ_F077

આંશિક માલ: 2747

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

ECH8602M-TL-H

આંશિક માલ: 2823

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EMH2409-TL-H

આંશિક માલ: 2859

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 59 mOhm @ 2A, 10V,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NTND31015NZTAG

આંશિક માલ: 120579

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

NDS9958

આંશિક માલ: 2715

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ON Semiconductor

EMH2308-TL-H

આંશિક માલ: 186625

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

GWM70-01P2

આંશિક માલ: 2692

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 70A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

IXYS

GWM100-01X1-SMD

આંશિક માલ: 2825

એફઇટી પ્રકાર: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 90A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

આંશિક માલ: 2854

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 15µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7389

આંશિક માલ: 2690

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF9910TR

આંશિક માલ: 3299

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, 12A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.55V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7343PBF

આંશિક માલ: 75494

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.7A, 3.4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

આંશિક માલ: 2747

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, 2.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

આંશિક માલ: 2755

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

આંશિક માલ: 2824

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 55V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

Trinamic Motion Control GmbH

TMC1420-LA

આંશિક માલ: 2918

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.8A, 7.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 26.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Diodes Incorporated

DMC3018LSD-13

આંશિક માલ: 2789

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.1A, 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

આંશિક માલ: 2650

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 200µA,

વિશસૂચિ માટે

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8402(TE85L,F,M

આંશિક માલ: 2735

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A, 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે

Texas Instruments

CSD75204W15

આંશિક માલ: 2796

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

Rohm Semiconductor

SP8M3TB

આંશિક માલ: 2700

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 1mA,

વિશસૂચિ માટે