ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

IRF7316PBF

આંશિક માલ: 82106

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF9910

આંશિક માલ: 2735

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A, 12A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.55V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7902PBF

આંશિક માલ: 2704

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.4A, 9.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.25V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

IRFHM8363TR2PBF

આંશિક માલ: 2853

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.35V @ 25µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF6150

આંશિક માલ: 2693

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF9956

આંશિક માલ: 2709

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF5851TR

આંશિક માલ: 2645

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A, 2.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.25V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7325TR

આંશિક માલ: 2643

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4920DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 3373

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SI7530DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2779

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A, 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 75 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4226DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2790

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI5903DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2802

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SI5509DC-T1-GE3

આંશિક માલ: 2824

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.1A, 4.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 52 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4908DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2849

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI6973DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2819

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SI4972DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2770

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10.8A, 7.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI6967DQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 2883

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 450mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SIA921EDJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 107104

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SIB911DK-T1-GE3

આંશિક માલ: 2759

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4340CDY-T1-E3

આંશિક માલ: 2692

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 14.1A, 20A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI6966EDQ-T1-GE3

આંશિક માલ: 3300

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 600mV @ 250µA (Min),

વિશસૂચિ માટે

SI4563DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2834

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

STMicroelectronics

STS7C4F30L

આંશિક માલ: 2694

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A, 4A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTJD4001NT1

આંશિક માલ: 2735

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

FDS6993

આંશિક માલ: 2762

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, 6.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTJD4105CT4G

આંશિક માલ: 2731

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 630mA, 775mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTJD2152PT1G

આંશિક માલ: 2674

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 775mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTMFD4C86NT3G

આંશિક માલ: 29372

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11.3A, 18.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTJD4158CT2G

આંશિક માલ: 2806

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA, 880mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 100µA,

વિશસૂચિ માટે

NTHD4401PT3

આંશિક માલ: 2756

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે