ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી.એસ., મોસ્ફેટ્સ - એરે

IRF7752TRPBF

આંશિક માલ: 2785

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7507TR

આંશિક માલ: 2651

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.4A, 1.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 700mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF7756TRPBF

આંશિક માલ: 2780

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

IRF9952TR

આંશિક માલ: 2705

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.5A, 2.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

FDS4885C

આંશિક માલ: 2726

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Standard, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.5A, 6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

HUF76407DK8T

આંશિક માલ: 2709

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTHD3100CT1

આંશિક માલ: 2734

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.9A, 3.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

ECH8662-TL-H

આંશિક માલ: 2834

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

વિશસૂચિ માટે

FDQ7238AS

આંશિક માલ: 2841

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 14A, 11A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

NTQD6866R2

આંશિક માલ: 2733

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

EFC4618R-TR

આંશિક માલ: 2913

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Standard,

વિશસૂચિ માટે

SSD2007ASTF

આંશિક માલ: 2740

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4944DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2773

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI1555DL-T1-E3

આંશિક માલ: 3341

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 660mA, 570mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI1029X-T1-E3

આંશિક માલ: 2706

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 305mA, 190mA, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4992EY-T1-GE3

આંશિક માલ: 3302

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 75V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.6A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 48 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4923DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 2800

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4973DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2800

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI7842DP-T1-E3

આંશિક માલ: 2760

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.3A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2.4V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI4340DY-T1-E3

આંશિક માલ: 2736

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.3A, 9.9A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 2V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI9926BDY-T1-E3

આંશિક માલ: 2741

એફઇટી પ્રકાર: 2 N-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.2A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI6981DQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2748

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 900mV @ 300µA,

વિશસૂચિ માટે

SI7925DN-T1-E3

આંશિક માલ: 2813

એફઇટી પ્રકાર: 2 P-Channel (Dual), FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 42 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI6544BDQ-T1-E3

આંશિક માલ: 2797

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.7A, 3.8A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 3V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે

SI7540DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 2788

એફઇટી પ્રકાર: N and P-Channel, FET લક્ષણ: Logic Level Gate, સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.6A, 5.7A, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (મહત્તમ) @ આઈડી: 1.5V @ 250µA,

વિશસૂચિ માટે