Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર

  • ઘર
  •  
  • થાઇરિસ્ટર્સ - એસસીઆર
VS-25TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12PBF

આંશિક માલ: 28426

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-30TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12PBF

આંશિક માલ: 22962

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 20A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 30A,

વિશસૂચિ
VS-ST083S08MFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08MFM1

આંશિક માલ: 771

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 200mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 2.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 85A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 135A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12LHM3

આંશિક માલ: 2674

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08PBF

આંશિક માલ: 15736

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRLPBF

આંશિક માલ: 32695

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS16STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRRPBF

આંશિક માલ: 24670

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS12ALHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS12ALHM3

આંશિક માલ: 2719

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.7V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS12SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SPBF

આંશિક માલ: 22139

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-70TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS16PBF

આંશિક માલ: 8888

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 70A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 75A,

વિશસૂચિ
VS-70TPS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70TPS12PBF

આંશિક માલ: 9398

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 70A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 75A,

વિશસૂચિ
VS-ST180S16P1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S16P1

આંશિક માલ: 724

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.75V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 200A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 314A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRLPBF

આંશિક માલ: 44068

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08SPBF

આંશિક માલ: 22667

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
ST3230C16R0
Vishay Semiconductor Diodes Division

ST3230C16R0

આંશિક માલ: 7510

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 4V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 400mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 2785A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 5970A,

વિશસૂચિ
VS-40TTS12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12PBF

આંશિક માલ: 29901

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.2kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1.3V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 35mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.6V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 25A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 40A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS16STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRLPBF

આંશિક માલ: 25224

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 1.6kV, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-10TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRLPBF

આંશિક માલ: 79778

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ
VS-25TTS08STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08STRLPBF

આંશિક માલ: 36195

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 45mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.25V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 16A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 25A,

વિશસૂચિ
VS-40TPS08APBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS08APBF

આંશિક માલ: 15760

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2.5V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.85V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 35A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 55A,

વિશસૂચિ
VS-16TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRRPBF

આંશિક માલ: 44106

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 2V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 60mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.4V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 10A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 16A,

વિશસૂચિ
VS-10TTS08STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08STRRPBF

આંશિક માલ: 40892

વોલ્ટેજ - Stateફ સ્ટેટ: 800V, વોલ્ટેજ - ગેટ ટ્રિગર (વીજીટી) (મહત્તમ): 1V, વર્તમાન - ગેટ ટ્રિગર (આઇજીટી) (મહત્તમ): 15mA, વોલ્ટેજ - રાજ્ય પર (વીટીએમ) (મહત્તમ): 1.15V, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (AV)) (મહત્તમ): 6.5A, વર્તમાન - રાજ્ય પર (તે (આરએમએસ)) (મહત્તમ): 10A,

વિશસૂચિ