Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

આંશિક માલ: 185466

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

આંશિક માલ: 175504

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

આંશિક માલ: 164062

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

આંશિક માલ: 178973

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

આંશિક માલ: 153471

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

આંશિક માલ: 172005

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

આંશિક માલ: 158649

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
VS-1N3891R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

આંશિક માલ: 14617

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 300ns,

વિશસૂચિ
VS-70HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

આંશિક માલ: 9505

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 70A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.35V @ 220A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-300U30A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

આંશિક માલ: 1921

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 300V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 300A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 942A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-240UR80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

આંશિક માલ: 1530

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, Reverse Polarity, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 320A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 750A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

આંશિક માલ: 25294

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 95ns,

વિશસૂચિ
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

આંશિક માલ: 43609

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-1N3209
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

આંશિક માલ: 12937

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 15A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

આંશિક માલ: 5411

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.95V @ 40A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 500ns,

વિશસૂચિ
VS-15TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

આંશિક માલ: 125688

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 920mV @ 30A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

આંશિક માલ: 11184

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.31V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 400ns,

વિશસૂચિ
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

આંશિક માલ: 198616

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
UH1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

આંશિક માલ: 190343

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.05V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 40ns,

વિશસૂચિ
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

આંશિક માલ: 33360

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

આંશિક માલ: 1247

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1400A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.31V @ 1500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

આંશિક માલ: 161380

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

આંશિક માલ: 119255

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 500mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.35V @ 500mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
MUR160/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

આંશિક માલ: 161367

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 75ns,

વિશસૂચિ
VS-1N3893
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

આંશિક માલ: 10697

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 12A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.4V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 300ns,

વિશસૂચિ
VS-20ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

આંશિક માલ: 10805

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 20A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 160ns,

વિશસૂચિ
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

આંશિક માલ: 134851

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 500mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 500mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 150ns,

વિશસૂચિ
VS-40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

આંશિક માલ: 7355

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 125A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

આંશિક માલ: 664

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 450A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.85V @ 1500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 3µs,

વિશસૂચિ
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

આંશિક માલ: 141735

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

આંશિક માલ: 117977

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

આંશિક માલ: 46686

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 2.45V @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 29ns,

વિશસૂચિ
VS-40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

આંશિક માલ: 8993

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 40A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 125A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

આંશિક માલ: 133740

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

આંશિક માલ: 114302

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ
VS-240U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

આંશિક માલ: 1800

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 320A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 750A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ