ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

BAQ33-GS18

આંશિક માલ: 197061

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ133-GS18

આંશિક માલ: 118365

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-HE3-08

આંશિક માલ: 154586

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-E3-18

આંશિક માલ: 115452

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-G3-08

આંશિક માલ: 188296

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-G3-18

આંશિક માલ: 167611

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 800mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 5ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-G3-18

આંશિક માલ: 119759

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-G3-08

આંશિક માલ: 143586

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV203-GS08

આંશિક માલ: 158966

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV103-GS08

આંશિક માલ: 154952

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV101-GS08

આંશિક માલ: 126245

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-HE3-18

આંશિક માલ: 186037

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-G3-18

આંશિક માલ: 149933

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-G3-08

આંશિક માલ: 197144

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-G3-08

આંશિક માલ: 115674

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-G3-18

આંશિક માલ: 180934

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS21-E3-18

આંશિક માલ: 140710

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-HE3-18

આંશિક માલ: 191615

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-HE3-08

આંશિક માલ: 134671

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-HE3-18

આંશિક માલ: 155571

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-HE3-18

આંશિક માલ: 144085

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-HE3-08

આંશિક માલ: 133282

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-E3-18

આંશિક માલ: 109360

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS20-E3-08

આંશિક માલ: 135846

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 200mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV203-GS18

આંશિક માલ: 130859

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-HE3-18

આંશિક માલ: 151016

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-HE3-08

આંશિક માલ: 194831

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV102-GS18

આંશિક માલ: 182083

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV101-GS18

આંશિક માલ: 125003

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS08

આંશિક માલ: 141635

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS18

આંશિક માલ: 199355

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 150V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV100-GS18

આંશિક માલ: 105289

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV103-GS18

આંશિક માલ: 176599

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 100mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 50ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-18

આંશિક માલ: 108796

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 75V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-G3-08

આંશિક માલ: 166520

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-G3-18

આંશિક માલ: 126563

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 70V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 250mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 6ns,

વિશસૂચિ