ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

ઘર
ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

આંશિક માલ: 95

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

આંશિક માલ: 137

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

આંશિક માલ: 156

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

આંશિક માલ: 137

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

આંશિક માલ: 5037

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

આંશિક માલ: 91

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 910mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

આંશિક માલ: 5020

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 910mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

આંશિક માલ: 69

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 490mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

આંશિક માલ: 130

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

આંશિક માલ: 5051

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

આંશિક માલ: 135

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

આંશિક માલ: 74

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 650mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ040

આંશિક માલ: 155

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045

આંશિક માલ: 107

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ035

આંશિક માલ: 154

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 120A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 120A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035S

આંશિક માલ: 144

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035S

આંશિક માલ: 151

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045S

આંશિક માલ: 155

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035S

આંશિક માલ: 130

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ045S

આંશિક માલ: 130

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KS5

આંશિક માલ: 62

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 471A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150L40A

આંશિક માલ: 117

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 471A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12S

આંશિક માલ: 97

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12FP

આંશિક માલ: 108

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08FP

આંશિક માલ: 36

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF12

આંશિક માલ: 94

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12

આંશિક માલ: 117

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10

આંશિક માલ: 5083

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRL

આંશિક માલ: 5042

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 15V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 360mV @ 19A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015S

આંશિક માલ: 10049

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 15V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 360mV @ 19A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045S

આંશિક માલ: 5024

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

185NQ015

આંશિક માલ: 10038

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 15V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 400mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ035

આંશિક માલ: 10053

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100

આંશિક માલ: 5013

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15MQ040N

આંશિક માલ: 10028

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 490mV @ 2A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

3600

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»