ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

18TQ045STRR

આંશિક માલ: 169

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

19TQ015STRR

આંશિક માલ: 117

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 15V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 19A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 360mV @ 19A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ045STRL

આંશિક માલ: 144

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRL

આંશિક માલ: 5027

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060STRR

આંશિક માલ: 147

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060S

આંશિક માલ: 148

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

15TQ060

આંશિક માલ: 159

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 60V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 620mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150LR5A

આંશિક માલ: 5549

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 471A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

150KSR5

આંશિક માલ: 95

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 150A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 471A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

130HFR80PV

આંશિક માલ: 101

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 130A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.5V @ 500A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRL

આંશિક માલ: 129

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ045STRR

આંશિક માલ: 174

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRL

આંશિક માલ: 156

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TQ035STRR

આંશિક માલ: 95

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 15A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 560mV @ 15A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

આંશિક માલ: 171

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

આંશિક માલ: 82

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

આંશિક માલ: 173

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

આંશિક માલ: 98

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

આંશિક માલ: 157

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

આંશિક માલ: 94

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 10A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

આંશિક માલ: 76

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

આંશિક માલ: 99

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

આંશિક માલ: 161

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

આંશિક માલ: 131

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.33V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 310ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

આંશિક માલ: 5088

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

આંશિક માલ: 145

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

આંશિક માલ: 152

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

આંશિક માલ: 153

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

આંશિક માલ: 112

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 145ns,

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

આંશિક માલ: 160

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 18A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 18A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

આંશિક માલ: 71

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 35V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 760mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

આંશિક માલ: 130

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 10A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 760mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

આંશિક માલ: 112

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

આંશિક માલ: 135

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 950mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

આંશિક માલ: 74

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 510mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

આંશિક માલ: 104

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 45V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 180A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 660mV @ 180A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ