ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SQ2348ES-T1_GE3

આંશિક માલ: 111408

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 24 mOhm @ 12A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIS888DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 100731

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20.2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 7.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFBF20LPBF

આંશિક માલ: 26959

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 900V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8 Ohm @ 1A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFU430APBF

આંશિક માલ: 78568

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.7 Ohm @ 3A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SISH617DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 9926

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13.9A (Ta), 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIHH20N50E-T1-GE3

આંશિક માલ: 13696

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 147 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQ2361EES-T1-GE3

આંશિક માલ: 1197

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 2.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-E3

આંશિક માલ: 113215

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 14A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIR492DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 99094

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7738DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 25627

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 38 mOhm @ 7.7A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQJ423EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 161774

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 55A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 14 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7617DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 186550

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 35A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR210TRRPBF

આંશિક માલ: 118927

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI1467DH-T1-E3

આંશિક માલ: 115563

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.8V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 90 mOhm @ 2A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQ3427EEV-T1-GE3

આંશિક માલ: 1196

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 82 mOhm @ 4.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7454DP-T1-E3

આંશિક માલ: 99308

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 6V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 34 mOhm @ 7.8A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIR882ADP-T1-GE3

આંશિક માલ: 60958

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI3456DDV-T1-E3

આંશિક માલ: 180218

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.3A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40 mOhm @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR9120TRLPBF

આંશિક માલ: 142021

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 600 mOhm @ 3.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI8461DB-T2-E1

આંશિક માલ: 152776

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFB9N60APBF

આંશિક માલ: 26472

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.2A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR9214TRLPBF

આંશિક માલ: 98712

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 250V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI2301BDS-T1-GE3

આંશિક માલ: 122073

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.2A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIR184DP-T1-RE3

આંશિક માલ: 9967

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20.7A (Ta), 73A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 7.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIAA40DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 193455

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12.5 mOhm @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-E3

આંશિક માલ: 1107

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8.3A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.8V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-GE3

આંશિક માલ: 1017

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 16A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1

આંશિક માલ: 1074

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22 mOhm @ 6A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI2341DS-T1-E3

આંશિક માલ: 1091

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 72 mOhm @ 2.8A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5441DC-T1-E3

આંશિક માલ: 1029

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.9A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 55 mOhm @ 3.9A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4682DY-T1-E3

આંશિક માલ: 1045

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.4 mOhm @ 16A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7668ADP-T1-GE3

આંશિક માલ: 1072

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 25A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-E3

આંશિક માલ: 1131

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 44.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI4823DY-T1-E3

આંશિક માલ: 132524

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.1A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 108 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFP22N50APBF

આંશિક માલ: 16276

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 500V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 22A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 230 mOhm @ 13A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI3456BDV-T1-GE3

આંશિક માલ: 1052

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 35 mOhm @ 6A, 10V,

વિશસૂચિ