ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

SIRA24DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 188332

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 25V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 mOhm @ 15A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFU9020PBF

આંશિક માલ: 80861

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 50V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9.9A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7465DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 125217

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.2A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 64 mOhm @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7812DN-T1-E3

આંશિક માલ: 73626

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 75V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 37 mOhm @ 7.2A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIA431DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 180442

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI8416DB-T2-E1

આંશિક માલ: 130328

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.2V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR220TRRPBF

આંશિક માલ: 104776

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR220TRLPBF

આંશિક માલ: 163122

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIHD14N60E-GE3

આંશિક માલ: 28965

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 600V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 309 mOhm @ 7A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIB417AEDK-T1-GE3

આંશિક માલ: 104428

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 8V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.2V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 32 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI8413DB-T1-E1

આંશિક માલ: 118880

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.8A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 48 mOhm @ 1A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7804DN-T1-E3

આંશિક માલ: 132166

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 18.5 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQ1470EH-T1-GE3

આંશિક માલ: 1239

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIRA72DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 137056

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 60A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.5 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR9014TRLPBF

આંશિક માલ: 108095

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.1A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIS468DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 125215

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 30A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19.5 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7818DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 99113

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 150V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.2A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 6V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 135 mOhm @ 3.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQJ454EP-T1_GE3

આંશિક માલ: 152475

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 200V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 145 mOhm @ 7.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQS482EN-T1_GE3

આંશિક માલ: 191332

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 16A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 8.5 mOhm @ 16.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIHJ7N65E-T1-GE3

આંશિક માલ: 59620

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 650V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.9A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 598 mOhm @ 3.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIR864DP-T1-GE3

આંશિક માલ: 153398

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.6 mOhm @ 15A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIHU4N80E-GE3

આંશિક માલ: 9907

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 800V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.3A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.27 Ohm @ 2A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRL510PBF

આંશિક માલ: 54692

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5.6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4V, 5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-GE3

આંશિક માલ: 147267

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3.4A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 6V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 62 mOhm @ 5.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-E3

આંશિક માલ: 33678

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 40A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3 mOhm @ 20A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

IRFR014TRLPBF

આંશિક માલ: 103882

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7.7A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIUD403ED-T1-GE3

આંશિક માલ: 174576

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 500mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.25 Ohm @ 300mA, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SQA403EJ-T1_GE3

આંશિક માલ: 9904

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 10A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 20 mOhm @ 5A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI5459DU-T1-GE3

આંશિક માલ: 162995

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 52 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIA408DJ-T1-GE3

આંશિક માલ: 182914

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 5.3A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI3424BDV-T1-GE3

આંશિક માલ: 167116

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 8A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 28 mOhm @ 7A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI2316BDS-T1-E3

આંશિક માલ: 130654

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 50 mOhm @ 3.9A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SUD17N25-165-E3

આંશિક માલ: 1435

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 250V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 17A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 165 mOhm @ 14A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SIDR870ADP-T1-GE3

આંશિક માલ: 9968

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 95A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

SI7308DN-T1-E3

આંશિક માલ: 139856

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 58 mOhm @ 5.4A, 10V,

વિશસૂચિ

Vishay Siliconix

TN2404K-T1-GE3

આંશિક માલ: 199710

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 240V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

વિશસૂચિ