Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

આંશિક માલ: 7027

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

આંશિક માલ: 7067

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

આંશિક માલ: 6998

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

આંશિક માલ: 7056

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

આંશિક માલ: 6993

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

આંશિક માલ: 7066

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257,KEHINQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

આંશિક માલ: 6789

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

આંશિક માલ: 6792

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2257(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

આંશિક માલ: 6778

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

આંશિક માલ: 6989

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

આંશિક માલ: 7064

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 7008

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

આંશિક માલ: 7045

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

આંશિક માલ: 7037

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 1mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

આંશિક માલ: 7039

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 12mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

આંશિક માલ: 7003

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 12mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 1.5A, 3V,

વિશસૂચિ
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

આંશિક માલ: 7001

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 375V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 800mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

આંશિક માલ: 6717

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 160V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 140 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

આંશિક માલ: 7021

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 800V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 800mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

આંશિક માલ: 7019

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 375V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 800mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC6010(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

આંશિક માલ: 6714

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 75mA, 600mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC6040(TPF2,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

આંશિક માલ: 7015

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 800V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 800mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5930(TPF2,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

આંશિક માલ: 6994

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 75mA, 600mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 200mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5930(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

આંશિક માલ: 6971

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 75mA, 600mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 200mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5201,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

આંશિક માલ: 6716

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5201,T6MURAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

આંશિક માલ: 7019

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

આંશિક માલ: 6724

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

આંશિક માલ: 6968

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5172(YAZK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

આંશિક માલ: 7006

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 400V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 250mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 20µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 500mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

આંશિક માલ: 7026

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 50mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 600V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 500mA, 20mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 20mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5171,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

આંશિક માલ: 6967

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 180V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

આંશિક માલ: 6979

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 180V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

આંશિક માલ: 6992

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 180V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

આંશિક માલ: 7059

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 180V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

આંશિક માલ: 6988

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 180V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 5µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

આંશિક માલ: 7005

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ