ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે

ઘર
ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

આંશિક માલ: 152609

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

આંશિક માલ: 98

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

આંશિક માલ: 124

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

આંશિક માલ: 114931

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

આંશિક માલ: 137653

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

આંશિક માલ: 153875

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 350 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

આંશિક માલ: 9987

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual) Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

આંશિક માલ: 115889

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

આંશિક માલ: 4365

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

આંશિક માલ: 167758

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

આંશિક માલ: 115887

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 100mV @ 3mA, 30mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 4mA, 2V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

આંશિક માલ: 179411

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

આંશિક માલ: 4432

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

આંશિક માલ: 124168

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

આંશિક માલ: 104094

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

આંશિક માલ: 147055

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

આંશિક માલ: 104803

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

આંશિક માલ: 104

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, 800mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

આંશિક માલ: 184759

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

આંશિક માલ: 4437

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

આંશિક માલ: 4500

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

આંશિક માલ: 4488

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

આંશિક માલ: 184335

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

આંશિક માલ: 4476

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

આંશિક માલ: 4401

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

આંશિક માલ: 6508

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

આંશિક માલ: 151500

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

આંશિક માલ: 4471

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 8 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

આંશિક માલ: 9945

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 100mV @ 3mA, 30mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 350 @ 4mA, 2V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

આંશિક માલ: 111105

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

આંશિક માલ: 4492

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ

ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

આંશિક માલ: 4430

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 7 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 76

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP (Emitter Coupled), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 10MA, 100MA,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

આંશિક માલ: 4464

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 8 NPN Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.6V @ 500µA, 350mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 350mA, 2V,

વિશસૂચિ

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

આંશિક માલ: 4503

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 1mA, 10mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 350 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

આંશિક માલ: 9904

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 2mA, 6V,

વિશસૂચિ

58

«
1
2
»