ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એરે | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 2

BAV70,LM

આંશિક માલ: 3367

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 215mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

આંશિક માલ: 3300

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 150mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

આંશિક માલ: 3315

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 215mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 151

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

આંશિક માલ: 111

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 10V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

આંશિક માલ: 99

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

આંશિક માલ: 125

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

આંશિક માલ: 196401

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.25V @ 150mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

આંશિક માલ: 12490

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 6A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 6A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

આંશિક માલ: 146

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

આંશિક માલ: 10959

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 8A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 8A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 109

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

આંશિક માલ: 106201

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 140mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

આંશિક માલ: 105421

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair CA + CC, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

આંશિક માલ: 159197

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair CA + CC, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

આંશિક માલ: 171499

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 215mA, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

આંશિક માલ: 8001

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 12A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 12A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

આંશિક માલ: 7444

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 650V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 10A (DC), વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.7V @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 191091

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

આંશિક માલ: 124987

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 50mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 50mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

આંશિક માલ: 130979

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

આંશિક માલ: 4548

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

આંશિક માલ: 166431

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 80mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

આંશિક માલ: 170816

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.3V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

આંશિક માલ: 16260

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 570mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

આંશિક માલ: 191404

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

આંશિક માલ: 127689

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 80V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 215mA, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

આંશિક માલ: 4160

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 2 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 50mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 50mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

આંશિક માલ: 4087

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 3 Independent, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 50mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 50mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

આંશિક માલ: 3899

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Cathode, ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 20A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 980mV @ 10A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

આંશિક માલ: 120020

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Common Anode, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 100mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

આંશિક માલ: 167920

ડાયોડ રૂપરેખાંકન: 1 Pair Series Connection, ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ) (દીઠ ડાયોડ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 580mV @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

વિશસૂચિ