ટ્રાન્ઝિસ્ટર - એફ.ઇ.ટી., મોસ્ફેટ્સ - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 21

SSM3K344R,LF

આંશિક માલ: 172502

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 3A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 71 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FU,LF

આંશિક માલ: 145407

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ15P04M3,RQ(S

આંશિક માલ: 165753

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 7.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R805PL,L1Q

આંશિક માલ: 7504

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 45V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 139A (Ta), 80A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.8 mOhm @ 40A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK50P03M1(T6RSS-Q)

આંશિક માલ: 196259

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 50A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11003NL,LQ

આંશિક માલ: 185923

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11 mOhm @ 5.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K514NU,LF

આંશિક માલ: 132249

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.6 mOhm @ 4A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH11006NL,LQ

આંશિક માલ: 147549

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 17A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TP86R203NL,LQ

આંશિક માલ: 195446

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 19A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.2 mOhm @ 9A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20P04M1,RQ(S

આંશિક માલ: 189721

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 20A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 29 mOhm @ 10A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J212FE,LF

આંશિક માલ: 180699

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACTC,L3F

આંશિક માલ: 168469

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8067-H,LQ(S

આંશિક માલ: 173926

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 4.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R,LF

આંશિક માલ: 100090

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2.5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 107 mOhm @ 2A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8066-H,LQ(S

આંશિક માલ: 190514

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 11A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 16 mOhm @ 5.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN13008NH,L1Q

આંશિક માલ: 180755

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 80V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 18A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 13.3 mOhm @ 9A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35AMFV,L3F

આંશિક માલ: 7230

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.2V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002KF,LF

આંશિક માલ: 169654

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 400mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8132,LQ(S

આંશિક માલ: 170665

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 7A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 25 mOhm @ 3.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K504NU,LF

આંશિક માલ: 129507

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 9A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 19.5 mOhm @ 4A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8134,LQ(S

આંશિક માલ: 7395

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 5A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 52 mOhm @ 2.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J325F,LF

આંશિક માલ: 115358

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 2A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 150 mOhm @ 1A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72KFS,LF

આંશિક માલ: 7312

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 300mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K341NU,LF

આંશિક માલ: 7275

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 60V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 36 mOhm @ 4A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TP89R103NL,LQ

આંશિક માલ: 119858

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 15A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 9.1 mOhm @ 7.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AFS,LF

આંશિક માલ: 196668

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 250mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.2V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8093,L1Q

આંશિક માલ: 7348

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 21A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R30ANL,L1Q

આંશિક માલ: 7573

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 100V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 66A (Ta), 45A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6110(TE85L,F,M)

આંશિક માલ: 181802

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 4.5A (Ta), આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 56 mOhm @ 2.2A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J112TU,LF

આંશિક માલ: 5773

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 1.1A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 390 mOhm @ 500mA, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37CT,L3F

આંશિક માલ: 164943

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 200mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.5V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J505NU,LF

આંશિક માલ: 146525

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 12V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 12A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.2V, 4.5V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 12 mOhm @ 4A, 4.5V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J358R,LF

આંશિક માલ: 133378

એફઇટી પ્રકાર: P-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 20V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 6A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 1.8V, 8V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 22.1 mOhm @ 6A, 8V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT(TPL3)

આંશિક માલ: 197326

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 100mA (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 2.5V, 4V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R704PL,L1Q

આંશિક માલ: 134761

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 40V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 92A (Tc), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 3.7 mOhm @ 46A, 10V,

વિશસૂચિ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8065-H,LQ(S

આંશિક માલ: 171095

એફઇટી પ્રકાર: N-Channel, ટેકનોલોજી: MOSFET (Metal Oxide), સોર્સ વોલ્ટેજ (વીડીએસએસ) ને ડ્રેઇન કરો: 30V, વર્તમાન - સતત ડ્રેઇન (આઈડી) @ 25 ° સે: 13A (Ta), ડ્રાઇવ વોલ્ટેજ (મેક્સ આરડીએસ ચાલુ, મીન આરડીએસ ચાલુ): 4.5V, 10V, આરડીએસ ઓન (મેક્સ) @ આઈડી, વી.જી.એસ.: 11.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

વિશસૂચિ