ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ | સ્વતંત્ર સેમિકન્ડક્ટર ઉત્પાદનો | 100

1N5393G B0G

આંશિક માલ: 180

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G A0G

આંશિક માલ: 162

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHA0G

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHA0G

આંશિક માલ: 198

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819HA0G

આંશિક માલ: 149

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G A0G

આંશિક માલ: 183

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHB0G

આંશિક માલ: 149

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHB0G

આંશિક માલ: 183

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 A0G

આંશિક માલ: 202

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 450mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G A0G

આંશિક માલ: 140

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5822 A0G

આંશિક માલ: 156

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 525mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHA0G

આંશિક માલ: 163

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHA0G

આંશિક માલ: 156

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G B0G

આંશિક માલ: 110

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHB0G

આંશિક માલ: 127

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 A0G

આંશિક માલ: 103

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 475mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G B0G

આંશિક માલ: 107

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHB0G

આંશિક માલ: 184

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936G A0G

આંશિક માલ: 169

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RSG

આંશિક માલ: 193

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 200mA, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 100mA, ગતિ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 4ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHA0G

આંશિક માલ: 142

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G B0G

આંશિક માલ: 163

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHR0G

આંશિક માલ: 179

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408GHR0G

આંશિક માલ: 183

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHR0G

આંશિક માલ: 186

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHR0G

આંશિક માલ: 200

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHR0G

આંશિક માલ: 130

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G R0G

આંશિક માલ: 162

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHR0G

આંશિક માલ: 128

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G R0G

આંશિક માલ: 120

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHR0G

આંશિક માલ: 186

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G R0G

આંશિક માલ: 122

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHR0G

આંશિક માલ: 184

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G R0G

આંશિક માલ: 140

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHR0G

આંશિક માલ: 192

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHR0G

આંશિક માલ: 134

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ