ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

ઘર
ડાયોડ્સ - રેક્ટિફાયર - એકલ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818 R1G

આંશિક માલ: 99

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHA0G

આંશિક માલ: 123

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HA0G

આંશિક માલ: 110

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821 A0G

આંશિક માલ: 157

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1T6G A0G

આંશિક માલ: 140

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007GHB0G

આંશિક માલ: 85

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004G B0G

આંશિક માલ: 95

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400G B0G

આંશિક માલ: 90

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHB0G

આંશિક માલ: 169

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G B0G

આંશિક માલ: 91

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 1000V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G A0G

આંશિક માલ: 95

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002GHA0G

આંશિક માલ: 168

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5817 R1G

આંશિક માલ: 84

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 450mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4936GHB0G

આંશિક માલ: 91

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4002G R1G

આંશિક માલ: 151

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4003G R1G

આંશિક માલ: 142

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5818HB0G

આંશિક માલ: 124

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 550mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1T5G R0G

આંશિક માલ: 145

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4006G B0G

આંશિક માલ: 134

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHB0G

આંશિક માલ: 84

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 600V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHB0G

આંશિક માલ: 152

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 200V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHB0G

આંશિક માલ: 121

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819 B0G

આંશિક માલ: 176

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 40V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 600mV @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5821 B0G

આંશિક માલ: 117

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 30V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 500mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4004GHR1G

આંશિક માલ: 140

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934G R1G

આંશિક માલ: 85

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407GHA0G

આંશિક માલ: 150

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 800V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 3A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4934GHR1G

આંશિક માલ: 110

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.2V @ 1A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), વિપરીત પુનoveryપ્રાપ્તિ સમય (trr): 200ns,

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1T2G A1G

આંશિક માલ: 150

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 100V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1.1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001G B0G

આંશિક માલ: 103

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G A0G

આંશિક માલ: 127

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1.5A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1.5A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001G R1G

આંશિક માલ: 107

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4001GHA0G

આંશિક માલ: 85

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 50V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5820 B0G

આંશિક માલ: 165

ડાયોડ પ્રકાર: Schottky, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 20V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 3A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 475mV @ 3A, ગતિ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1T4G R0G

આંશિક માલ: 103

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

Taiwan Semiconductor Corporation

1T4G A1G

આંશિક માલ: 143

ડાયોડ પ્રકાર: Standard, વોલ્ટેજ - ડીસી રિવર્સ (વીઆર) (મહત્તમ): 400V, વર્તમાન - સરેરાશ સુધારેલ (આઇઓ): 1A, વોલ્ટેજ - ફોરવર્ડ (વીએફ) (મેક્સ) @ જો: 1V @ 1A, ગતિ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

વિશસૂચિ

3600

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»