Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
0RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એકલ
NJD1718T4G
ON Semiconductor

NJD1718T4G

આંશિક માલ: 130699

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 70 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
NJVNJD35N04T4G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04T4G

આંશિક માલ: 106745

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 350V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 20mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 2000 @ 2A, 2V,

વિશસૂચિ
FJX1182YTF
ON Semiconductor

FJX1182YTF

આંશિક માલ: 117438

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ
FZT3019
ON Semiconductor

FZT3019

આંશિક માલ: 120329

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ
MJD32T4G
ON Semiconductor

MJD32T4G

આંશિક માલ: 105821

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 375mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ
MCH3145-TL-E
ON Semiconductor

MCH3145-TL-E

આંશિક માલ: 153395

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 330mV @ 50mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ
KSH44H11TF
ON Semiconductor

KSH44H11TF

આંશિક માલ: 197206

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 400mA, 8A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 4A, 1V,

વિશસૂચિ
NJVMJD350T4G
ON Semiconductor

NJVMJD350T4G

આંશિક માલ: 135300

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 300V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 50mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMBTA56LT1G
ON Semiconductor

MMBTA56LT1G

આંશિક માલ: 145900

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ
NJV4031NT1G
ON Semiconductor

NJV4031NT1G

આંશિક માલ: 184303

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 300mV @ 300mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1A, 1V,

વિશસૂચિ
KSH42CTF
ON Semiconductor

KSH42CTF

આંશિક માલ: 191674

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 6A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 600mA, 6A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ
MJ11021G
ON Semiconductor

MJ11021G

આંશિક માલ: 10533

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 15A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 250V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 3.4V @ 150mA, 15A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 400 @ 10A, 5V,

વિશસૂચિ
MJD200T4G
ON Semiconductor

MJD200T4G

આંશિક માલ: 123189

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 25V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.8V @ 1A, 5A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 45 @ 2A, 1V,

વિશસૂચિ
FSB560
ON Semiconductor

FSB560

આંશિક માલ: 104131

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 350mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
SMMBT2222ALT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT1G

આંશિક માલ: 177340

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1V @ 50mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 150mA, 10V,

વિશસૂચિ
CPH3116-TL-E
ON Semiconductor

CPH3116-TL-E

આંશિક માલ: 169101

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 430mV @ 10mA, 500mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ
NSV12200LT1G
ON Semiconductor

NSV12200LT1G

આંશિક માલ: 148051

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 12V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 180mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 250 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
CPH3215-TL-H
ON Semiconductor

CPH3215-TL-H

આંશિક માલ: 146816

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1.5A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 225mV @ 15mA, 750mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 100mA, 2V,

વિશસૂચિ
NSV20200LT1G
ON Semiconductor

NSV20200LT1G

આંશિક માલ: 195524

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 180mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 250 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
MMBTA05LT3G
ON Semiconductor

MMBTA05LT3G

આંશિક માલ: 126347

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ
SMMBTA14LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA14LT3G

આંશિક માલ: 169566

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 300mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.5V @ 100µA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20000 @ 100mA, 5V,

વિશસૂચિ
NSS30070MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30070MR6T1G

આંશિક માલ: 140385

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 700mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 400mV @ 70mA, 700mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 150 @ 100mA, 3V,

વિશસૂચિ
NJVMJD6039T4G
ON Semiconductor

NJVMJD6039T4G

આંશિક માલ: 186124

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2.5V @ 8mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 500 @ 2A, 4V,

વિશસૂચિ
NSS40301MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS40301MZ4T3G

આંશિક માલ: 199286

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 200mV @ 300mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 200 @ 1A, 1V,

વિશસૂચિ
MJD44E3T4G
ON Semiconductor

MJD44E3T4G

આંશિક માલ: 193525

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 2V @ 20mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 10µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 5A, 5V,

વિશસૂચિ
NSV1C201LT1G
ON Semiconductor

NSV1C201LT1G

આંશિક માલ: 133818

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 150mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 120 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
MJE253G
ON Semiconductor

MJE253G

આંશિક માલ: 124125

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 4A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 40 @ 200mA, 1V,

વિશસૂચિ
MJD32CTM
ON Semiconductor

MJD32CTM

આંશિક માલ: 119171

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 1.2V @ 375mA, 3A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 10 @ 3A, 4V,

વિશસૂચિ
NSS20200LT1G
ON Semiconductor

NSS20200LT1G

આંશિક માલ: 118980

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 2A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 20V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 180mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 250 @ 500mA, 2V,

વિશસૂચિ
KSB772YSTU
ON Semiconductor

KSB772YSTU

આંશિક માલ: 155810

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 3A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 200mA, 2A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 1µA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 1A, 2V,

વિશસૂચિ
TIP147TU
ON Semiconductor

TIP147TU

આંશિક માલ: 44949

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Darlington, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 3V @ 40mA, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 2mA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 1000 @ 5A, 4V,

વિશસૂચિ
SMMBTA06LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA06LT3G

આંશિક માલ: 191074

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 500mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 80V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 250mV @ 10mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100nA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 100mA, 1V,

વિશસૂચિ
NJVMJD2955T4G
ON Semiconductor

NJVMJD2955T4G

આંશિક માલ: 137048

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 10A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 60V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 8V @ 3.3A, 10A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 4A, 4V,

વિશસૂચિ
NSVBC850CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC850CLT1G

આંશિક માલ: 177948

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 45V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 600mV @ 5mA, 100mA, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 15nA (ICBO), ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 420 @ 2mA, 5V,

વિશસૂચિ
KSH29CTF
ON Semiconductor

KSH29CTF

આંશિક માલ: 112933

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 1A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 100V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 700mV @ 125mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 50µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 1A, 4V,

વિશસૂચિ
MJE15029G
ON Semiconductor

MJE15029G

આંશિક માલ: 48553

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 8A, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 120V, Vce સંતૃપ્તિ (મહત્તમ) @ આઇબી, આઇસી: 500mV @ 100mA, 1A, વર્તમાન - કલેક્ટર કટoffફ (મેક્સ): 100µA, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 4A, 2V,

વિશસૂચિ