સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.157" (4mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.200" (5.08mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 25mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 40mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.197" (5mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.050" (1.27mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.150" (3.81mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 30V, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 20mA, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Phototransistor,
સેન્સિંગ ડિસ્ટન્સ: 0.050" (1.27mm), સેન્સિંગ પદ્ધતિ: Reflective, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, વર્તમાન - ડીસી ફોરવર્ડ (જો) (મહત્તમ): 50mA, આઉટપુટ પ્રકાર: Photodarlington,
