Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
0RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - એરે, પ્રિ-બાયસ્ડ
NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSVTB60BDW1T1G

આંશિક માલ: 121402

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 150mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G

આંશિક માલ: 1427

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 1 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 3 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5311DW1T1
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1

આંશિક માલ: 1405

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

આંશિક માલ: 1502

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

આંશિક માલ: 1447

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

આંશિક માલ: 194732

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

આંશિક માલ: 119881

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

આંશિક માલ: 125619

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5313DW1T1
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1

આંશિક માલ: 1441

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5115DW1T1G

આંશિક માલ: 191265

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

આંશિક માલ: 170675

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1

આંશિક માલ: 1631

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144WDXV6T1G

આંશિક માલ: 196284

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5233DW1T1
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

આંશિક માલ: 1457

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1G

આંશિક માલ: 71232

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G

આંશિક માલ: 115919

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

આંશિક માલ: 1489

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1G

આંશિક માલ: 1466

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EDXV6T1

આંશિક માલ: 1446

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143EDP6T5G

આંશિક માલ: 184541

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G

આંશિક માલ: 119356

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G

આંશિક માલ: 160922

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T1G

આંશિક માલ: 167806

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

આંશિક માલ: 3201

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5215DW1T1G

આંશિક માલ: 136906

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
IMH20TR1
ON Semiconductor

IMH20TR1

આંશિક માલ: 1463

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 600mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 15V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 50mA, 5V,

વિશસૂચિ
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5

આંશિક માલ: 5401

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5131DW1T1G

આંશિક માલ: 122560

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

આંશિક માલ: 3203

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 1 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 1 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 3 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

આંશિક માલ: 171080

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDP6T5G

આંશિક માલ: 133800

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5231DW1T1G

આંશિક માલ: 74853

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1G

આંશિક માલ: 1524

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T5G

આંશિક માલ: 167892

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDP6T5G

આંશિક માલ: 165090

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5236DW1T1
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1

આંશિક માલ: 1402

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ