મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 1Mb (128K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 90ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 1Mb (128K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 120ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 400kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: NVSRAM, ટેકનોલોજી: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), મેમરી કદ: 256b (16 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 256Kb (32K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 1MHz,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 128Kb (16K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 2Mb (256K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 90ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 512Kb (64K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 120ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), ઘડિયાળની આવર્તન: 2MHz,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 10MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: FLASH, ટેકનોલોજી: FLASH, મેમરી કદ: 2Mb (256K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 120ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 64Kb (8K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 400kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 8Kb (1K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: SRAM, ટેકનોલોજી: SRAM - Asynchronous, મેમરી કદ: 1Mb (64K x 16), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 55ns,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 4Kb (512 x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 400kHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 16Kb (2K x 8), ઘડિયાળની આવર્તન: 20MHz, ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
મેમરી પ્રકાર: Non-Volatile, મેમરી ફોર્મેટ: EEPROM, ટેકનોલોજી: EEPROM, મેમરી કદ: 512Kb (64K x 8), ચક્રનો સમય લખો - શબ્દ, પૃષ્ઠ: 5ms,
