Menu
ગુજરાતીગુજરાતી
RFQs / ઓર્ડર
0RFQs / ઓર્ડર

ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્

  • ઘર
  •  
  • ટ્રાંઝિસ્ટર - બાયપોલર (બીજેટી) - સિંગલ, પ્રી-બાયસ્
DTA114TET1
ON Semiconductor

DTA114TET1

આંશિક માલ: 1919

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2138LT1G
ON Semiconductor

MMUN2138LT1G

આંશિક માલ: 109903

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTC123TET1G
ON Semiconductor

DTC123TET1G

આંશિક માલ: 177660

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTC143EET1
ON Semiconductor

DTC143EET1

આંશિક માલ: 1937

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2114LT3G
ON Semiconductor

MMUN2114LT3G

આંશિક માલ: 187153

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
FJY3008R
ON Semiconductor

FJY3008R

આંશિક માલ: 1932

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 56 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
FJN4302RTA
ON Semiconductor

FJN4302RTA

આંશિક માલ: 136395

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
DTC143ZET1G
ON Semiconductor

DTC143ZET1G

આંશિક માલ: 180882

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN2138T1G
ON Semiconductor

MUN2138T1G

આંશિક માલ: 175034

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
SDTC114YET1G
ON Semiconductor

SDTC114YET1G

આંશિક માલ: 161592

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTC123EET1
ON Semiconductor

DTC123EET1

આંશિક માલ: 1903

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 2.2 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 8 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
FJY3005R
ON Semiconductor

FJY3005R

આંશિક માલ: 3252

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 30 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
MUN5236T1G
ON Semiconductor

MUN5236T1G

આંશિક માલ: 64090

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN2136T1G
ON Semiconductor

MUN2136T1G

આંશિક માલ: 106226

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
SMUN2211T3G
ON Semiconductor

SMUN2211T3G

આંશિક માલ: 148308

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 35 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2235LT1G
ON Semiconductor

MMUN2235LT1G

આંશિક માલ: 184539

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2212LT1G
ON Semiconductor

MMUN2212LT1G

આંશિક માલ: 140893

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 22 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 60 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN2234T1G
ON Semiconductor

MUN2234T1G

આંશિક માલ: 112772

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2113LT3G
ON Semiconductor

MMUN2113LT3G

આંશિક માલ: 160299

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
SMMUN2233LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2233LT1G

આંશિક માલ: 111297

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
FJY3007R
ON Semiconductor

FJY3007R

આંશિક માલ: 3190

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 68 @ 5mA, 5V,

વિશસૂચિ
DTA114TET1G
ON Semiconductor

DTA114TET1G

આંશિક માલ: 194520

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTA143ZET1G
ON Semiconductor

DTA143ZET1G

આંશિક માલ: 140005

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2216LT1G
ON Semiconductor

MMUN2216LT1G

આંશિક માલ: 177772

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 160 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTC124XET1
ON Semiconductor

DTC124XET1

આંશિક માલ: 1911

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 22 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5213T1G
ON Semiconductor

MUN5213T1G

આંશિક માલ: 155910

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
DTC123JET1G
ON Semiconductor

DTC123JET1G

આંશિક માલ: 155430

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2213LT1G
ON Semiconductor

MMUN2213LT1G

આંશિક માલ: 170998

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 47 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MMUN2135LT1G
ON Semiconductor

MMUN2135LT1G

આંશિક માલ: 191864

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 2.2 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
FJY4010R
ON Semiconductor

FJY4010R

આંશિક માલ: 1888

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 10 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
FJY3009R
ON Semiconductor

FJY3009R

આંશિક માલ: 3263

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 40V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 100 @ 1mA, 5V,

વિશસૂચિ
MUN5136T1G
ON Semiconductor

MUN5136T1G

આંશિક માલ: 181881

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 100 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 100 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G

આંશિક માલ: 176648

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: NPN - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
MUN5133T1G
ON Semiconductor

MUN5133T1G

આંશિક માલ: 124717

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 47 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 80 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ
FJY4001R
ON Semiconductor

FJY4001R

આંશિક માલ: 1886

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 20 @ 10mA, 5V,

વિશસૂચિ
MUN5132T1G
ON Semiconductor

MUN5132T1G

આંશિક માલ: 176294

ટ્રાન્ઝિસ્ટર પ્રકાર: PNP - Pre-Biased, વર્તમાન - કલેક્ટર (આઈસી) (મહત્તમ): 100mA, વોલ્ટેજ - કલેક્ટર ઇમિટર બ્રેકડાઉન (મેક્સ): 50V, રેઝિસ્ટર - બેઝ (આર 1): 4.7 kOhms, રેઝિસ્ટર - ઇમિટર બેઝ (આર 2): 4.7 kOhms, ડીસી કરંટ ગેઇન (એચએફઇ) (મિન) @ આઈસી, વીસ: 15 @ 5mA, 10V,

વિશસૂચિ